肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善

肖特基二极管在高温反向偏置(High Temperature Reverse Bias,HTRB)试验后失效,烘烤或化学开盖后芯片电参数恢复。通过超声扫描分层检查,确定失效原因来自芯片和封装的匹配。在芯片改善受限制的情况下,通过改善封装气密性、离子污染,解决了HTRB失效。同时系统探讨了从设计上预防气密性失效的方法。