采用XPS、XRD、Raman光谱等方法分析了两种典型SiC纤维的微观结构,研究了微观结构对纤维电导性能的影响,并揭示了其高温介电性能和吸波性能的演变规律,对高温结构吸波复合材料的研究具有重要意义。研究表明:KD-I SiC纤维表面富碳,而SLF ...采用XPS、XRD、Raman光谱等方法分析了两种典型SiC纤维的微观结构,研究了微观结构对纤维电导性能的影响,并揭示了其高温介电性能和吸波性能的演变规律,对高温结构吸波复合材料的研究具有重要意义。研究表明:KD-I SiC纤维表面富碳,而SLF SiC纤维以Si-C-O结构为主,前者具有较高的电导率和复介电常数,从而导致KD-I纤维与空气阻抗匹配差,而SLF纤维的损耗较小,因此两者在X波段的室温反射率仅为-3.2 d B和-0.3 d B。KD-I纤维的复介电常数随着温度的升高显著增大,SLF纤维的实部增幅较大而虚部略小,两者在700℃时的复介电常数分别达到20.9-j25.0和5.0-j0.37,高温条件下由于阻抗匹配均变差,吸波性能无明显改善。展开更多
文摘采用XPS、XRD、Raman光谱等方法分析了两种典型SiC纤维的微观结构,研究了微观结构对纤维电导性能的影响,并揭示了其高温介电性能和吸波性能的演变规律,对高温结构吸波复合材料的研究具有重要意义。研究表明:KD-I SiC纤维表面富碳,而SLF SiC纤维以Si-C-O结构为主,前者具有较高的电导率和复介电常数,从而导致KD-I纤维与空气阻抗匹配差,而SLF纤维的损耗较小,因此两者在X波段的室温反射率仅为-3.2 d B和-0.3 d B。KD-I纤维的复介电常数随着温度的升高显著增大,SLF纤维的实部增幅较大而虚部略小,两者在700℃时的复介电常数分别达到20.9-j25.0和5.0-j0.37,高温条件下由于阻抗匹配均变差,吸波性能无明显改善。