宽使用温度范围的丁羟高燃速推进剂配方研究

研究了细AP含量、增塑剂癸二酸二异辛酯 (DOS)含量和键合剂LW1等因素对HTPB/IPDI高燃速推进剂 - 5 5℃低温力学性能的影响 ,获得了一个使用温度范围广 (- 5 5℃～ + 70℃ )、综合性能优良的丁羟高燃速推进剂配方。该推进剂除具有能量高、燃速高等特点外 ,还有优良的力学性能 ,70℃最大抗拉强度 (σm)大于 0 5MPa ,2 5℃ ,70℃最大伸长率 (εm)大于 45 % ,- 5 5℃时的伸长率大于 30 %。

深N阱5 V/40 V制程关键工艺条件的开发

低压5 V/高压40 V制程广泛应用于LCD栅驱动芯片,LED驱动芯片,智能电表芯片及电源管理等产品的生产。N型埋层(NBL)加上P型外延层(P-EPI)做隔离的工艺制程已经稳定量产多年,而以深N阱代替NBL+P-EPI的工艺,不需要昂贵的EPI,同时可减少零层光刻(Zero layer),生产成本大幅降低。DNW工艺可以沿用EPI工艺的Layout设计规则,保持了EPI工艺器件的电特性,特别是高压器件的击穿电压(BV)足够满足各种对栅和漏端均需耐40V高压产品的应用需求。

六八型大腔体二级推进高压高温装置与新材料的高压合成

高压高温条件可以调控化学合成,得到物质在常压时难以形成的新结构,为发现新的物理现象和机制提供重要机遇。基于单级推进的大体积高压高温合成装置可实现的压力通常小于10GPa,制约了在更高压力区间对新材料的研制和探索。介绍了能进行20GPa高压高温合成的、基于二级推进的六八型大体积压机。运用该类装置,可将高压高温新材料的研制探索推向全新高度。