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两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜
被引量:
4
1
作者
李赜明
余烨
+7 位作者
焦腾
胡大强
董鑫
李万程
张源涛
吕元杰
冯志红
张宝林
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1247-1253,共7页
为获得高质量的β-Ga 2O 3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga 2O 3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比...
为获得高质量的β-Ga 2O 3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga 2O 3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比与分析。结果表明,950℃下GaN薄膜无法完全氧化,而直接1 150℃氧化得到的样品并没有明显的晶向。相比之下,通过两步氧化法,GaN薄膜被完全氧化,且得到的β-Ga 2O 3薄膜具有明显的沿<2 01>方向的晶向,样品表面显示出明显的纳米线结构。最佳的氧化时间为在950℃下氧化3 h之后在1 150℃下氧化1 h,此时得到样品的纳米线结构最明显,其纳米线的直径约为30~40 nm。拉曼光谱测试证实了该条件下获得的样品具有较高的晶体质量。通过分析不同样品结构以及形貌特性,我们发现不同温度下的不同氧化模式是导致该结果的主要原因。
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关键词
氧化
镓
宽禁带半导体
高温氧化工艺
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职称材料
新型氧化锆高温耐磨滑板在转炉挡渣工艺的应用
被引量:
1
2
作者
梁保青
梁新星
+3 位作者
王全喜
张志峰
陈颖鑫
孙亚光
《冶金管理》
2020年第17期15-16,34,共3页
为提高钢铁冶炼质量,增加滑板使用寿命,提升产品整体性能。河南熔金高温材料股份有限公司、郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司、河南工业大学联合对目前国内外市场的转炉挡渣技术进行了进一步的优化,特别是在挡渣机构滑板方面,研发出防金...
为提高钢铁冶炼质量,增加滑板使用寿命,提升产品整体性能。河南熔金高温材料股份有限公司、郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司、河南工业大学联合对目前国内外市场的转炉挡渣技术进行了进一步的优化,特别是在挡渣机构滑板方面,研发出防金属溶液旋流滑板和防上移位镶嵌锆陶瓷滑板,不仅提高了合金和脱氧剂的收得率,而且在不增加成本的基础上,使用寿命提升了50%。
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关键词
氧化
锆
高温
耐磨陶瓷转炉挡渣
工艺
防金属溶液旋流滑板
防上移位镶嵌锆陶瓷滑板
原文传递
耐高温铝黑氧化工艺的研究与应用
3
作者
方本利
《江西光学仪器》
2002年第1期33-35,共3页
关键词
氧化
着色
工艺
参数
耐
高温
铝黑
氧化
工艺
原文传递
氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
被引量:
3
4
作者
李磊
吴济钧
+1 位作者
李国刚
许立菊
《真空电子技术》
2015年第6期50-53,共4页
AlN陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此A1N陶瓷很难在高温和氧气氛下与Cu直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板)。若在A1N基片表面上预制一定厚度、且非常致密的Al_2O_3层后,就能借鉴Cu箔和Al_2O_3基...
AlN陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此A1N陶瓷很难在高温和氧气氛下与Cu直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板)。若在A1N基片表面上预制一定厚度、且非常致密的Al_2O_3层后,就能借鉴Cu箔和Al_2O_3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。本文简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。
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关键词
氮化铝基陶瓷覆铜板
高温氧化工艺
高温
键合
工艺
电力半导体模块
化学
氧化
工艺
铜箔
氮化铝陶瓷基片
下载PDF
职称材料
氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
5
作者
李磊
吴济钧
+1 位作者
李国刚
许立菊
《变频技术应用》
2015年第3期57-61,共5页
氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(Al2O3)层后,就能借鉴Cu...
氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(Al2O3)层后,就能借鉴Cu箔和Al2O3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例.
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关键词
氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN
DBC基板)
高温氧化工艺
高温
键合
工艺
电力半导体模块
化学
氧化
工艺
铜箔
氮化铝陶瓷基片
下载PDF
职称材料
氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
6
作者
李磊
昊济钧
+1 位作者
李国刚
许立菊
《电源技术应用》
2015年第5期36-40,共5页
氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(A1203)层后,就能借鉴Cu...
氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(A1203)层后,就能借鉴Cu箔和A1203基片高温键合工艺制作性能优良的AlNDBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AINDBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AINDBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。
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关键词
氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN
DBC基板)
高温氧化工艺
高温
键合
工艺
电力半导体模块
化学
氧化
工艺
铜箔
氮化铝陶瓷基片
下载PDF
职称材料
间苯二甲酸发展前景看好
7
《精细化工经济与技术信息》
2002年第2期9-10,共2页
关键词
间苯二甲酸
发展前景
消费
生产技术
高温氧化工艺
下载PDF
职称材料
题名
两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜
被引量:
4
1
作者
李赜明
余烨
焦腾
胡大强
董鑫
李万程
张源涛
吕元杰
冯志红
张宝林
机构
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室
河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1247-1253,共7页
基金
国家自然科学基金(61774072,61734001,61674068)
吉林省科技发展计划(20170204045GX)
国家重点研发计划(2016YFB0401801,2016YFB0400103)资助项目~~
文摘
为获得高质量的β-Ga 2O 3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga 2O 3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比与分析。结果表明,950℃下GaN薄膜无法完全氧化,而直接1 150℃氧化得到的样品并没有明显的晶向。相比之下,通过两步氧化法,GaN薄膜被完全氧化,且得到的β-Ga 2O 3薄膜具有明显的沿<2 01>方向的晶向,样品表面显示出明显的纳米线结构。最佳的氧化时间为在950℃下氧化3 h之后在1 150℃下氧化1 h,此时得到样品的纳米线结构最明显,其纳米线的直径约为30~40 nm。拉曼光谱测试证实了该条件下获得的样品具有较高的晶体质量。通过分析不同样品结构以及形貌特性,我们发现不同温度下的不同氧化模式是导致该结果的主要原因。
关键词
氧化
镓
宽禁带半导体
高温氧化工艺
Keywords
gallium oxide
wide bandgap simiconductors
high temperature oxidation
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
新型氧化锆高温耐磨滑板在转炉挡渣工艺的应用
被引量:
1
2
作者
梁保青
梁新星
王全喜
张志峰
陈颖鑫
孙亚光
机构
郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司
河南熔金高温材料股份有限公司
河南工业大学材料科学与工程学院
出处
《冶金管理》
2020年第17期15-16,34,共3页
文摘
为提高钢铁冶炼质量,增加滑板使用寿命,提升产品整体性能。河南熔金高温材料股份有限公司、郑州方铭高温陶瓷新材料有限公司、河南工业大学联合对目前国内外市场的转炉挡渣技术进行了进一步的优化,特别是在挡渣机构滑板方面,研发出防金属溶液旋流滑板和防上移位镶嵌锆陶瓷滑板,不仅提高了合金和脱氧剂的收得率,而且在不增加成本的基础上,使用寿命提升了50%。
关键词
氧化
锆
高温
耐磨陶瓷转炉挡渣
工艺
防金属溶液旋流滑板
防上移位镶嵌锆陶瓷滑板
Keywords
Zirconia high temperature wear resis-tant ceramics
Converter slag retaining process
Anti-metal solution hydrocyclone skateboard
Anti displacement slide plate with Mosaic compression
分类号
TF71 [冶金工程—钢铁冶金]
原文传递
题名
耐高温铝黑氧化工艺的研究与应用
3
作者
方本利
出处
《江西光学仪器》
2002年第1期33-35,共3页
关键词
氧化
着色
工艺
参数
耐
高温
铝黑
氧化
工艺
分类号
TG174.451 [金属学及工艺—金属表面处理]
原文传递
题名
氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
被引量:
3
4
作者
李磊
吴济钧
李国刚
许立菊
机构
淄博市临淄银河高技术开发有限公司
西安电力电子技术研究所
出处
《真空电子技术》
2015年第6期50-53,共4页
文摘
AlN陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此A1N陶瓷很难在高温和氧气氛下与Cu直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板)。若在A1N基片表面上预制一定厚度、且非常致密的Al_2O_3层后,就能借鉴Cu箔和Al_2O_3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。本文简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。
关键词
氮化铝基陶瓷覆铜板
高温氧化工艺
高温
键合
工艺
电力半导体模块
化学
氧化
工艺
铜箔
氮化铝陶瓷基片
Keywords
AlN DBC substrate
High temperature oxidation technology
High temperature bonding technology
Power semiconductor module
Chemical oxidation technology
Copper foil
AlN ceramic substrate
分类号
TN105 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
5
作者
李磊
吴济钧
李国刚
许立菊
机构
淄博市临淄银河高技术开发有限公司
西安电力电子技术研究所
出处
《变频技术应用》
2015年第3期57-61,共5页
文摘
氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(Al2O3)层后,就能借鉴Cu箔和Al2O3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例.
关键词
氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN
DBC基板)
高温氧化工艺
高温
键合
工艺
电力半导体模块
化学
氧化
工艺
铜箔
氮化铝陶瓷基片
Keywords
AlN DBC substrate
high temperature oxidation technology
high temperature bonded technology
power semiconductor module
chemical oxidation technology
copper foil
AlN ceramic substrate
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
6
作者
李磊
昊济钧
李国刚
许立菊
机构
淄博市临淄银河高技术开发有限公司
西安电力电子技术研究所
出处
《电源技术应用》
2015年第5期36-40,共5页
文摘
氮化铝(AlN)陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜(Cu)直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝(A1203)层后,就能借鉴Cu箔和A1203基片高温键合工艺制作性能优良的AlNDBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AINDBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AINDBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。
关键词
氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN
DBC基板)
高温氧化工艺
高温
键合
工艺
电力半导体模块
化学
氧化
工艺
铜箔
氮化铝陶瓷基片
Keywords
AIN DBC substrate
high temperature oxidation technology
high temperature bondedtechnology
power semiconductor module
chemical oxidation technology
copper foil
AIN ceramicsubstrate
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
间苯二甲酸发展前景看好
7
出处
《精细化工经济与技术信息》
2002年第2期9-10,共2页
关键词
间苯二甲酸
发展前景
消费
生产技术
高温氧化工艺
分类号
F407.7 [经济管理—产业经济]
TQ245.12 [化学工程—有机化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜
李赜明
余烨
焦腾
胡大强
董鑫
李万程
张源涛
吕元杰
冯志红
张宝林
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
4
下载PDF
职称材料
2
新型氧化锆高温耐磨滑板在转炉挡渣工艺的应用
梁保青
梁新星
王全喜
张志峰
陈颖鑫
孙亚光
《冶金管理》
2020
1
原文传递
3
耐高温铝黑氧化工艺的研究与应用
方本利
《江西光学仪器》
2002
0
原文传递
4
氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
李磊
吴济钧
李国刚
许立菊
《真空电子技术》
2015
3
下载PDF
职称材料
5
氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
李磊
吴济钧
李国刚
许立菊
《变频技术应用》
2015
0
下载PDF
职称材料
6
氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
李磊
昊济钧
李国刚
许立菊
《电源技术应用》
2015
0
下载PDF
职称材料
7
间苯二甲酸发展前景看好
《精细化工经济与技术信息》
2002
0
下载PDF
职称材料
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