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6H-SiC热氧化层高温漏电及红外光谱表征研究 被引量:2
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作者 曹群 牟维兵 +2 位作者 杨翰飞 杨治美 龚敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期736-738,742,共4页
对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温I-V特性影响的机理。研究认为,可以通过低温高温两步退火工艺改善6H-SiC衬底上热氧化生长SiO2层... 对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究。根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温I-V特性影响的机理。研究认为,可以通过低温高温两步退火工艺改善6H-SiC衬底上热氧化生长SiO2层的质量。 展开更多
关键词 SIC 热氧化SiO2层 高温漏电 退火机理
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引入表面复合中心对晶闸管高温漏电流的影响
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作者 薛志亮 《科技创新导报》 2016年第35期36-36,38,共2页
该文对晶闸管的高温漏电流做了简要介绍,列举了减小高温漏电的常规方法,详尽叙述了引入表面复合中对减小高温漏电的作用,并从机理上进行了探讨,给出相应结论。改进散热条件可以使温度和漏电保持在某一临界值以下,然而尽可能降低高温漏电... 该文对晶闸管的高温漏电流做了简要介绍,列举了减小高温漏电的常规方法,详尽叙述了引入表面复合中对减小高温漏电的作用,并从机理上进行了探讨,给出相应结论。改进散热条件可以使温度和漏电保持在某一临界值以下,然而尽可能降低高温漏电流,是设计制造器件核心内容之一。 展开更多
关键词 晶闸管 复合中心 高温漏电
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一种具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的1200 V/20 A SiC MPS
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作者 易波 徐艺 +5 位作者 马克强 王思亮 蒋兴莉 胡强 程骏骥 杨洪强 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期141-144,共4页
通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特... 通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特基界面的最强电场强度仅为1.25 MV/cm。研制的MPS的泄漏电流仅为4.3μA(@25℃)和13.7μA(@175℃)。并且25℃和150℃下测试的浪涌电流高达258 A和252 A,约为额定电流的13倍。 展开更多
关键词 SiC MPS 漏电 高温漏电 浪涌电流能力
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TFT-LCD高温光照漏电流改善研究 被引量:2
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作者 蒋会刚 肖红玺 王晏酩 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期283-289,共7页
造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱。TFT-LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加,进而对TFT造成破坏。分析研究表明,TFT沟... 造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱。TFT-LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加,进而对TFT造成破坏。分析研究表明,TFT沟道在刻蚀完成后,沟道内部存在一定的缺陷以及绝缘层与沟道层界面存在电荷陷阱,平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术型产品由于设计的原因面临着如果进行氢处理会导致与其与氧化铟锡中的铟发生置换反应,导致铟的析出,所以无法采用氢处理。理论分析表明Si-O键稳定,本文主要介绍通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气对TFT沟道进行处理改善高温光照漏电流。结果表明,通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气处理TFT沟道后,高温光照漏电流从18.19pA下降到5.1pA,可见氯气/氧气和六氟化硫/氧气对沟道处理可有效改善高温光照漏电流。 展开更多
关键词 高温光照漏电 TFT沟道 TFT特性 沟道厚度
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改善肖特基二极管高温工作性能研究
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作者 闫桂玉 《电子质量》 2006年第1期30-32,共3页
本文着重从二极管势垒结构进行了分析,同时对几种势垒结构进行了比较,通过大量实验,确定了最佳势垒结构。采用此势垒结构生产的肖特基产品,高温工作性能得到了有效改善。
关键词 肖特基 高温性能 高温反偏 垒结构 高温漏电
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A Novel Insulator and Its Characteristics 被引量:2
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作者 李晓峰 J.M.K.MacAlpine +3 位作者 陈俊武 王燕 张国胜 李正瀛 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2001年第2期47-51,共5页
Both the ceramic and the composite insulators have their own advantages and disadvantages when compared with each other. It is a reasonable idea to combine their merits together to design a novel insulator. The key me... Both the ceramic and the composite insulators have their own advantages and disadvantages when compared with each other. It is a reasonable idea to combine their merits together to design a novel insulator. The key measure of the novel insulator suggested in this paper is to add an annular metal sheet coated with high temperature vulcanisation (HTV) silicone rubber (SIR) at the base of the traditional ceramic insulator cap. The HTVSIR covering on the exterior of the metal sheet can lengthen the creepage distance. The metal sheet can uniform the electric stress, reduce its maximum value and modify its direction on one insulator unit and acts as equalizing ring on an insulator string. The factors stated above are the main reasons why the novel insulator has better insulating performance, including lower leakage current and flashover voltage, especially under polluted conditions. Simultaneously, the novel insulator can overcome the disadvantages of the ordinary remedies which have been widely used to improve the performance of ceramic insulators against pollution. The experimental results obtained in the laboratory were in good agreement with the theoretical analysis and demonstrated the novel insulator's effectiveness. 展开更多
关键词 novel insulator leakage current pollution flashover HTVSIR
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金铂双掺杂快恢复二极管特性的研究
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作者 金德虎 潘飞蹊 +1 位作者 伍登学 游志朴 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期61-65,共5页
掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF~trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF~trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之... 掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF~trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF~trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 . 展开更多
关键词 双掺杂二极管 反恢时间 高温反向漏电 正向压降
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