高温热氧化中SiO_2层厚度的控制研究

本文介绍了 Si热氧化的工艺过程和温度曲线 ;对热氧化生成的 Si O2 层厚度进行了理论计算和实际测定 ;并列出了 7个 Si O2 样品的干、湿氧时间、理论计算值、实测值及产生的误差值 ,多数样件可控制在 15 %左右 (最优达 70 % ) ;介绍了控制干、湿氧不相互干扰的管路系统、稳定水浴温度 95℃的方法 ;分析了影响 Si O2

多次热氧化削减硅通孔内壁扇贝纹

硅通孔(TSV)在三维集成系统中扮演着非常重要的角色。BOSCH刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法,因为刻蚀和钝化交替进行,这种干法刻蚀工艺不可避免地会在硅通孔的内部形成扇贝纹,其尺度一般在几十纳米到几百纳米不等。扇贝纹会导致后续填充的各层材料以及它们之间的界面不平滑,从而严重影响TSV的性能以及三维集成系统的可靠性。高温热氧化时,较高氧气流量可确保硅通孔内部氧气浓度基本均匀,扇贝纹凸起处的二氧化硅生长速率相对较快。交替循环进行高温热氧化和腐蚀二氧化硅,可有效削减硅通孔内壁的扇贝纹。对深宽比为8∶1的硅通孔,经过四次高温热氧化(每次氧化的工艺条件为:1150℃、湿氧氧化10 min)和四次腐蚀二氧化硅后,内壁的扇贝纹起伏最大值从最初的400 nm降到了90 nm。实验结果表明该方法削减扇贝纹的效果十分明显。

Dy改性SnO_2/Sb电催化电极的制备及表征

为改进钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用高温热氧化法制备了稀土Dy改性钛基SnO2/Sb电极。以苯酚为目标有机物,考察了所制备电极的电催化活性,并采用SEM、EDS、XRD等分析方法表征了电极的形貌、组成及结构。对制备温度和Dy添加量进行了详细的实验研究,确定了适宜的制备条件为热处理温度650℃、Dy添加量1%左右。研究表明,结晶良好的掺杂SnO2晶粒有助于苯酚的快速彻底分解。Dy掺杂后,半径较大的Dy3+可能取代半径较小的Sn4+,导致SnO2晶胞膨胀。引入Dy可提高SnO2晶粒的形核与长大速率之比,使SnO2的平均粒径变小,有利于电极催化性能的改善。但同时Dy掺杂使杂质原子Sb、Dy在电极表层富集,高含量的Dy会降低电极的性能。

热障涂层界面位移非稳定性的有限元模拟

热障涂层界面位移非稳定性是影响整个热障涂层体系失效破坏的关键因素,采用有限元分析软件ABAQUS及其用户子程序UEXPAN和USDFLD相结合的有限元数值方法,对表面缺陷的Fecralloy金属基体界面的位移非稳定性进行了有限元模拟。该数值方法基于实验测得的真实TGO厚度,首次模拟了热氧化循环中TGO的生长过程,使得该有限元分析更接近于真实的物理现象,分析结果与实验结果具有很好的吻合性。