期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
高温硅功率器件所用硅单晶电阻率的选取 被引量：1
1
作者 潘广问 《襄樊学院学报》 2001年第5期22-24,共3页
在进行高温硅功率器件设计时,为保证器件的温度特性,必须正确、恰当地选取硅单晶电阻率,理论分析与实验相结合,可根据硅功率器件额定结温确定硅单晶电阻率的上限值,根据硅功率器件反向击穿电压确定硅单晶电阻率的下限值,在此基础上,设... 在进行高温硅功率器件设计时,为保证器件的温度特性,必须正确、恰当地选取硅单晶电阻率,理论分析与实验相结合,可根据硅功率器件额定结温确定硅单晶电阻率的上限值,根据硅功率器件反向击穿电压确定硅单晶电阻率的下限值,在此基础上,设计制造了满足坦克用的高温硅功率器件,额定结温达190℃. 展开更多
关键词 高温硅功率器件 硅单晶电阻率 上限值 下限值 半导体器件 反向击穿电压
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部