高压LDMOS导通电阻的高温特性分析

本文提出了高压LDMOS的高温等效电路 ,讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在 2 5℃～ 30 0℃范围内随温度变化规律 .根据本文分析 :源漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度 ;导通电阻与温度的关系是 (T/T1) y(y为 1 5～ 2 5 ) .

高压LDMOS导通电阻的高温特性

这篇文章提出了高压LDMOS的高温等效电路,并在此基础上讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律。根据本文分析,漏pn结的反向泄漏电流决定了LD-MOS的高温及限温度,导通电阻与温度的关系是(T)Z(Z=1.5～2.5)。