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陶瓷外壳芯腔表面变色原因分析 被引量:8
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作者 王占华 沈卓身 薛润东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期13-15,42,共4页
采用SEM和EDX对主要的陶瓷封装外壳生产工艺阶段的芯腔表面进行了形貌观察和成分分析。XPS分析证实,是Ni在芯腔表面形成氧化镍导致了变色。提出了在室温储存和高温老炼条件下造成外壳芯腔表面变色的两种模型。
关键词 陶瓷外壳芯腔 陶瓷封装 变色 金属化 高温老炼 芯腔 集成电路
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Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响 被引量:2
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作者 刘敏波 姚志斌 +2 位作者 黄绍艳 何宝平 盛江坤 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期708-711,共4页
针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器... 针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。 展开更多
关键词 SRAM器件 工艺尺寸 高温老炼 电离总剂量效应
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电视机可靠性试验管理方法的改进
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作者 周延昆 《数理统计与管理》 1985年第2期19-22,共4页
关键词 电视机 可靠性试验 可靠性增长模型 管理方法 平均故障数 故障强度 验证试验 高温老炼 增长曲线 可靠性增长管理
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