HgCdTe光伏探测器在高温背景辐照下的I-V特性分析

对中波HgCdTe光伏探测器进行了不同目标温度范围的黑体辐射I-V测试研究,结果表明器件光电流随着目标辐射的升高逐渐上升,同时器件微分阻抗随之下降;在同一背景红外辐射下,器件微分阻抗随着反向偏压的增加而下降.采用“lucky electron”模型对器件的R-V曲线进行了拟合,结果证实器件反偏微分电阻下降的主要原因是由于pn结耗尽区光生载流子的激增,碰撞电离导致的光电倍增效应所引起.