1
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用于电路模拟的4H-SiC MOSFET高温沟道电子迁移率模型 |
戴振清
杨瑞霞
杨克武
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
0 |
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2
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中二维电子气的极化光学声子散射 |
张雪冰
刘乃漳
姚若河
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
2
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3
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AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展 |
王翠梅
王晓亮
王军喜
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
1
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