HTRB600级高强钢筋高温后力学性能试验研究

为研究600 MPa级高强钢筋高温后的力学性能,对HTRB600级热处理高强钢筋进行高温后的拉伸试验。加热温度为20、200、300、400、500、600、700及800℃,在空气中冷却之后对其进行拉伸试验并测得其屈服强度、极限强度、弹性模量及应力-应变曲线。试验结果表明:HTRB600级高强钢筋经历温度小于600℃时,其高温后的应力-应变曲线与常温下相比无明显变化;当经历温度达到700℃时,其高温后屈服强度与极限强度均下降为常温下的80%左右;当经历温度达到800℃时,其高温后屈服强度下降为常温下的60%左右,但极限强度与700℃时相差不多。高温对HTRB600级高强钢筋高温后弹性模量无明显影响。最后提出了HTRB600级高强钢筋的高温后应力-应变曲线简化计算模型。

高压大功率IGBT器件高温阻断测试结温检测方法

高压大功率IGBT器件主要用于高压直流输电、轨道交通等领域。为避免在工作中发生失效,此类器件在应用前需进行一系列可靠性测试,其中高温阻断(HTRB)试验是最重要的可靠性测试之一。针对高压大功率IGBT器件在HTRB测试中漏电流过大导致结温高于环境温度的问题,为了避免错误的测试条件引起待测器件的意外失效,提出了一种高压大功率IGBT器件HTRB测试结温的检测方法。使用自行搭建的HTRB结温检测对比测试系统,在高压阻断状态下,利用集电极-发射极阻断漏电流作为热敏参数检测高压大功率IGBT器件的结温,并与常用的通态压降-结温法进行了对比,验证了该方法的有效性和可行性。该方法可提高HTRB测试效率和准确性。

高温可靠性试验对SiC MOSFET特性参数的影响

SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行。对SiC MOSFET进行了168 h的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验。结果表明,试验前后器件的阈值电压和跨导变化较大,而导通电阻和极间电容变化较小。通过拟合分析得到试验前后器件导通电阻、阈值电压和跨导的变化率与各参数数值之间的拟合曲线。最后基于测试结果,提出了一种针对1200 V/20 A SiC MOSFET的筛选方法,以降低器件在高温可靠性试验前后的参数变化率,从而提升器件在长期高温环境中的可靠性。

整流二极管的I_R对HTRB工作寿命的影响

整流器件在工作中的可靠性往往与其漏电流特别是在高温下的漏电流有密切关系,然而对高温下的漏电流往往关注不够。通过对常温与高温漏电流的对比测试,发现两者并没有一致的对应关系;通过对高温漏电流有较大差别的两组样品的高温反偏寿命试验表明:高温漏电流越大,高温反偏寿命越短,说明高温漏电流对高温反偏寿命有重要影响。依据此结果提出了通过对高温漏电流进行测试,实现对高温反偏寿命进行分档、筛选的设想。介绍了利用正向脉冲电流对二极管的pn结进行瞬态加热以实现对高温反向漏电流的快速测试的具体方法。

HTRB600级高强钢筋高温下的力学性能

为研究600 MPa级高强钢筋高温下的力学性能,对HTRB600级热处理高强钢筋进行高温下的拉伸试验,分别测得其在20,200,300,400,500,600,700及800℃高温下的弹性模量、比例极限、屈服强度、极限强度及应力-应变曲线.试验结果表明:HTRB600级高强钢筋高温下屈服强度、极限强度、比例极限与弹性模量均随着温度的升高而显著降低.500℃时其高温下的弹性模量、比例极限、屈服强度与极限强度降低为不足常温下的50%,800℃时已不足常温下的10%.高温下HTRB600级高强钢筋应力-应变曲线随温度的升高逐渐趋于圆滑,当温度达到200℃时,屈服台阶就已消失.600 MPa级钢筋高温下屈服强度和极限强度的降低程度明显大于其他钢筋500 MPa以下强度的钢筋.最后提出了适用于HTRB600级高强钢筋的高温下应力-应变曲线简化计算模型.

高温气冷堆核级氦气隔离阀在关闭工况下的流场及受力规律研究

基于FLUENT软件对3种氦气隔离阀进行流体阻断性能试验仿真模拟,分析了3种氦气隔离阀在氦气介质下实现关闭的可能性。分析不同隔离阀的流场和受力情况,发现在关闭过程中会出现压力波动以及不稳定湍流现象。最后,通过3种阀门的横向对比得到了DN 65氦气球阀在阻断流体流动方面的优势。

一种高结终端效率1700V/10A SiC功率MOSFET

设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2400 V,为理想平行平面结击穿电压的91%。器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm^2,阈值电压为2.9 V。对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性。

细胞内钙离子在高温诱导海马神经元凋亡中的作用机制

目的探讨Ca2+在高温诱导海马神经元凋亡中的作用,为丹曲林钠在热致脑损伤疾病中的应用提供实验依据。方法通过体外建立高温诱导原代培养的海马神经元凋亡模型,应用Ca2+特异性阻断剂丹曲林钠,观察其对神经元凋亡率、细胞内Ca2+荧光强度及其动态变化的影响。结果丹曲林钠能够明显降低高温处理后海马神经元的凋亡率;42℃处理并加入丹曲林钠组的扫描结果显示,Ca2+荧光强度为107.35±6.0,较正常培养的细胞内Ca2+荧光强度(159.12±33.8)明显降低,加入丹曲林钠20～25s后Ca2+浓度即开始下降,约50s后下降至最低值,然后稳定于低于原来基线的水平。结论丹曲林钠在高温诱导的海马神经细胞凋亡中具有重要的保护作用,在预防热致脑损伤疾病中具有一定的应用价值。

糖皮质激素受体阻断对雏鸡热应激的影响

本研究用５０ｍｇ／ｋｇ体重的Ｒｕ４８６ＰＶＡ缓释剂皮下注射，阻断雏鸡淋巴细胞糖皮质激素受体（ＧＲ），在２４小时内受体阻断率达６０％。受体阻断细胞对体内正常糖皮质激素（ＧＣ）几乎无反应，并且有拮抗外源性ＧＣ的作用。将ＧＲ阻断鸡群置于高温环境（４３℃），...