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高温、高压LDMOS导通电阻的特性
1
作者
陈军宁
柯导明
朱德智
《安徽大学学报(自然科学版)》
CAS
2002年第4期63-68,共6页
本文提出了高温、高压LDMOS的等效电路 ,讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在高温下随温度变化的规律。根据分析 ,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度 ,导通电阻与温度的关系为Ron∝ (TT1 ) y(y=1 .5~ 2 .5 )。
关键词
高温高压ldmos
导通电阻
等效电路
泄漏电流
高温
极限温度
下载PDF
职称材料
题名
高温、高压LDMOS导通电阻的特性
1
作者
陈军宁
柯导明
朱德智
机构
安徽大学计算机科学与信息工程学院
出处
《安徽大学学报(自然科学版)》
CAS
2002年第4期63-68,共6页
基金
安徽省自然科学基金资助项目 (0 1 0 4 2 1 0 4 )
文摘
本文提出了高温、高压LDMOS的等效电路 ,讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在高温下随温度变化的规律。根据分析 ,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度 ,导通电阻与温度的关系为Ron∝ (TT1 ) y(y=1 .5~ 2 .5 )。
关键词
高温高压ldmos
导通电阻
等效电路
泄漏电流
高温
极限温度
Keywords
high voltage
ldmos
on-resistance
high temperature circuit
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高温、高压LDMOS导通电阻的特性
陈军宁
柯导明
朱德智
《安徽大学学报(自然科学版)》
CAS
2002
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