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高温、高压LDMOS导通电阻的特性
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作者 陈军宁 柯导明 朱德智 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第4期63-68,共6页
本文提出了高温、高压LDMOS的等效电路 ,讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在高温下随温度变化的规律。根据分析 ,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度 ,导通电阻与温度的关系为Ron∝ (TT1 ) y(y=1 .5~ 2 .5 )。
关键词 高温高压ldmos 导通电阻 等效电路 泄漏电流 高温极限温度
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