高温、高压LDMOS导通电阻的特性

本文提出了高温、高压LDMOS的等效电路 ,讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在高温下随温度变化的规律。根据分析 ,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度 ,导通电阻与温度的关系为Ron∝ (TT1 ) y(y=1 .5～ 2 .5 )。

高压LDMOS导通电阻的高温特性

这篇文章提出了高压LDMOS的高温等效电路,并在此基础上讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律。根据本文分析,漏pn结的反向泄漏电流决定了LD-MOS的高温及限温度,导通电阻与温度的关系是(T)Z(Z=1.5～2.5)。

高压LDMOS阈值电压的温度系数分析

本文讨论了高压LDMOS(射频横向扩散金属氧化物半导体)阈值电压的温度特性,给出了它的温度系数计算公式。比较模拟软件模拟的结果和公式计算结果,验证了本文推导出公式的正确性。分析阈值电压的温度系数的线性表达式;从而得到功率LDMOS阈值电压的温度系数最优化分析。