SnH4分子高激发伸缩振动能级的非线性模型计算(英文)

利用非线性量子理论中的三参数的非线性模型，即量子化的离散自陷方程，对处于电子基态下的SnH4分子的高激发伸缩振动能级（1≤n≤6）进行了理论计算，所得结果与实验数据符合极好（其均方根RMS偏差几乎为零），同时也与其他作者的局域模型计算结果符合很好。计算结果显示：SnH4分子具有显著的局域振动行为特征;即使处于低能振动态（n＝2）,SnH4分子也会发生能级的局域简并现象，从而可认为|n000＞（n≥2）是SnH4入分子的单个SnH键伸缩振动的本征态。