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Li、Mn掺杂对MgCoNiCuZnO5导电性能的影响 被引量:3
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作者 陈见 尹周澜 张衡中 《有色金属工程》 CAS 北大核心 2019年第8期1-6,共6页
分别以Li2CO3和MnO为Li源和Mn源,采用高温固相烧结的方法,合成了Li、Mn掺杂的MgCoNiCuZnO5高熵金属氧化物(High-entropy oxides,HEOx)材料(Mg,Co,Ni,Cu,Zn)0.95Li0.05O0.975和(Mg,Co,Ni,Cu,Zn)0.95Mn0.05O。并与未掺杂的HEOx进行对比,... 分别以Li2CO3和MnO为Li源和Mn源,采用高温固相烧结的方法,合成了Li、Mn掺杂的MgCoNiCuZnO5高熵金属氧化物(High-entropy oxides,HEOx)材料(Mg,Co,Ni,Cu,Zn)0.95Li0.05O0.975和(Mg,Co,Ni,Cu,Zn)0.95Mn0.05O。并与未掺杂的HEOx进行对比,研究了Li和Mn两种不同金属元素对HEOx材料的相结构和导电性能的影响。交流阻抗的研究结果表明,Li、Mn掺杂后HEOx导电性明显提高,同时,紫外-可见-近红外吸收光谱表明三种材料都表现出半导体特性,其带隙宽度为1.2~1.7eV,并且Li、Mn掺杂后HEOx的直接带隙变小,Li-HEOx为1.23eV,Mn-HEOx为1.38eV。 展开更多
关键词 高熵金属氧化物 掺杂 导电性 带隙
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