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高真空化学气相外延炉的研制
1
作者
谢自力
陈桂章
+2 位作者
洛红
过海洲
严军
《真空》
CAS
北大核心
2000年第4期31-35,共5页
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了该气相外延设备的性能指标、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长Si1 - x Gex 异质薄膜的实验...
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了该气相外延设备的性能指标、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。
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关键词
锗硅异质结构
高真空化学气相色延炉
薄膜制备
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职称材料
题名
高真空化学气相外延炉的研制
1
作者
谢自力
陈桂章
洛红
过海洲
严军
机构
电子部南京第五十五研究所
出处
《真空》
CAS
北大核心
2000年第4期31-35,共5页
文摘
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了该气相外延设备的性能指标、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。
关键词
锗硅异质结构
高真空化学气相色延炉
薄膜制备
Keywords
high vacuum chemical vapour deposition
vapour deposition furnace
moleculer pump
SiGe heterostructure
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高真空化学气相外延炉的研制
谢自力
陈桂章
洛红
过海洲
严军
《真空》
CAS
北大核心
2000
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