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高真空化学气相外延炉的研制
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作者 谢自力 陈桂章 +2 位作者 洛红 过海洲 严军 《真空》 CAS 北大核心 2000年第4期31-35,共5页
研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了该气相外延设备的性能指标、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长Si1 - x Gex 异质薄膜的实验... 研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了该气相外延设备的性能指标、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。 展开更多
关键词 锗硅异质结构 高真空化学气相色延炉 薄膜制备
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