高磁导率材料FeCuNbSiB对超磁致伸缩/压电层合材料磁电性能的影响

采用超磁致伸缩材料TbxDy1-xFe2(x≈0.3)(Terfenol-D)、压电材料PbZrxTi1-xO3(PZT)和高磁导率材料FeCuNbSiB构造了新型的层合结构.由于引入高磁导率材料FeCuNbSiB改变了Terfenol-D的内部磁场分布,并且在磁场作用下,FeCuNbSiB发生形变对Terfenol-D产生应力,增大了Terfenol-D的饱和磁致伸缩系数,使得该层合结构具有更高的磁电电压输出.利用磁荷理论,分析了FeCuNbSiB对Terfenol-D内部有效磁场分布的影响,并采用磁致伸缩材料Terfenol-D的非线性本构关系和等效电路法研究了FeCuNbSiB对其磁致伸缩系数的影响以及该层合结构的低频磁电电压系数理论计算公式.通过实验研究表明:理论值和实验值定性符合,且该结构的低频最大磁电电压系数是Terfenol-D/PZT-8H(MP)层合结构的1.3倍.同时发现,当FeCuNbSiB厚度小于180μm时,层合结构的最大磁电电压系数与高磁导率材料FeCuNbSiB的厚度呈线性关系.

NiCuZn铁氧体材料的应用与开发

近年来NiCuZn铁氧体材料在电子和通信领域的应用越来越广泛,对材料性能也提出了更高的要求。针对应用和市场需求,近年来我们对不同类型的NiCuZn铁氧体材料开展了系统研究。主要采用氧化物法研制了高磁导率NiCuZn铁氧体(NCN-H系列)、高Q值NiCuZn抗EMI材料(NCN-Q系列),采用Sol-Gel法制备了高磁导率纳米NiCuZn铁氧体材料。部分材料性能达到甚至超过了国外同类材料水平。本文概括介绍了所研制的这几类材料的性能。

多层圆柱形磁屏体磁屏蔽特性研究

根据高磁导率铁材料和高电导率材料的电磁屏蔽特性,将铜绕组缠绕在铁芯上,圆柱形屏蔽体壳放入由铜绕组产生的均匀磁场中,利用三维有限元法对圆柱形屏蔽体壳的磁屏蔽特性进行了研究.分析磁屏蔽体厚度、屏蔽体的层数和激励频率对磁屏蔽效能的影响,以解决采用高磁导率材料和高电导率材料等不同磁屏蔽材料磁屏蔽体的最佳磁屏蔽方案问题.探索提高磁屏蔽效率的新技术,对电磁兼容问题的解决具有重要理论和实际意义.

高磁导率MnZn铁氧体材料发展近况

本文主要介绍高磁导率MnZn铁氧体材料发展及其近况。

巨磁电阻电流传感器空间位置特性调控与校正

通过分析巨磁电阻(GMR)效应,研究了空间位置对传感器精度的影响,针对实际应用中出现的角度偏转与位置偏移对传感器精度造成的影响提出了通过提高磁场增益提高传感器测量精度的方法。通过仿真验证:方法可有效减小测量误差,极大程度地提高了传感器精度,并简化了测量程序。

2020 IEEE EMC&SIPI虚拟会议--提名文章(三)

研究了美国航天局Europa Clipper航天器上反作用车轮组件的磁屏蔽。这项研究的目的是减小反作用车轮组件和Europa Clipper航天器上两个磁敏感科学仪器之间的磁场不兼容性。考虑到反作用车轮组件的质量和空间设计限制,作者提出两种磁屏蔽方法:一是利用高磁导率合金材料对反作用车轮单元内部磁铁进行磁屏蔽;二是利用金属玻璃材料对整个反作用车轮单元进行磁屏蔽。

萌达推出可应用于一体成型电感上的新材料

经过前期研发与设备的投入,江苏萌达新材料科技有限公司(以下简称“萌达”)成功于今年生产出可应用在一体成型电感上的高饱和、高磁导率材料,并携此新材料参加了第16届华南磁性元件自动化峰会。峰会现场,萌达带来的可应用在一体成型电感上的高饱和材料和高磁导率材料,引来众多磁性元件行业人员驻足交流。

一种宽频高μr”的Ni－Zn－Co铁氧体膜制作

文章介绍一种可在0．1GHz～1GHz的极宽频率范围内具有高μr”（磁导牢虚部）（〉100）的Ni－Zn－Co铁氧体薄膜。这种薄膜是采用水溶液旋转喷镀工艺，将Ni－Zn－Co铁氧体沉积成薄膜。如果优化配比Ni、Zn、Co和Fe的组分（如组分为Ni0.22，Zn0.52，Co0.03，Fe2.23O4），则其薄膜在频率高达130MHz时，其磁导率实部μr＇〉260，在100MHz～1GHz的极宽频范围，其磁导率虚部μr”〉100、这些磁性薄膜在低温（90℃）制成，不需要在沉积后退火，即可直接覆盖于印刷路板上的噪声源元件上，以实际用作电磁噪声抵制器。