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带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路
被引量:
2
1
作者
向莉
方健
黎育煌
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期207-210,共4页
提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗。分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计...
提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗。分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计了H桥高端驱动电路。基于5μm高压BCD工艺,采用Spectres进行电路仿真,完成了电路版图设计和流片测试。结果显示,设计的高端驱动电路能很好地实现高端功率管栅极电位的悬浮抬升。
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关键词
栅极驱动
电平位移
H桥
BCD工艺
高端功率管
下载PDF
职称材料
题名
带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路
被引量:
2
1
作者
向莉
方健
黎育煌
机构
电子科技大学IC设计中心
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期207-210,共4页
文摘
提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗。分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计了H桥高端驱动电路。基于5μm高压BCD工艺,采用Spectres进行电路仿真,完成了电路版图设计和流片测试。结果显示,设计的高端驱动电路能很好地实现高端功率管栅极电位的悬浮抬升。
关键词
栅极驱动
电平位移
H桥
BCD工艺
高端功率管
Keywords
Gate drive
Level shifter
H bridge
BCD process
High-side power MOSFET
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路
向莉
方健
黎育煌
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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职称材料
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