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采用STI和CoSi_2技术的0.15μm CMOS技术
1
《微电子技术》
1999年第4期34-34,共1页
关键词
CMOS技术
CoSi
高端微处理器
阈值电压
硼离子注入
片上系统
接触电阻
导通电阻
加工技术
多媒体时代
下载PDF
职称材料
题名
采用STI和CoSi_2技术的0.15μm CMOS技术
1
出处
《微电子技术》
1999年第4期34-34,共1页
关键词
CMOS技术
CoSi
高端微处理器
阈值电压
硼离子注入
片上系统
接触电阻
导通电阻
加工技术
多媒体时代
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
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1
采用STI和CoSi_2技术的0.15μm CMOS技术
《微电子技术》
1999
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