期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择——变压器还是硅芯片
1
作者
On Semiconductor
《电源世界》
2010年第10期30-32,29,共4页
本文对半桥拓扑结构中高端MOSFET的变压器和硅芯片两种不同驱动方案进行了详细的分析比较,从各种因素考虑,建议选择诸如NCP5181的硅芯片驱动方案比较理想。
关键词
半桥拓扑结构
高端mosfet
硅芯片
变压器
原文传递
题名
半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择——变压器还是硅芯片
1
作者
On Semiconductor
机构
安森美半导体
出处
《电源世界》
2010年第10期30-32,29,共4页
文摘
本文对半桥拓扑结构中高端MOSFET的变压器和硅芯片两种不同驱动方案进行了详细的分析比较,从各种因素考虑,建议选择诸如NCP5181的硅芯片驱动方案比较理想。
关键词
半桥拓扑结构
高端mosfet
硅芯片
变压器
Keywords
Half-bridge topology
High-side
mosfet
Silicon chip
Transformer
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择——变压器还是硅芯片
On Semiconductor
《电源世界》
2010
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部