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高纯度钛的应用与制备研究进展
1
作者
朱灏
汪浩
+5 位作者
檀成鹏
胡珺
刘丽君
李明亚
于晓东
谭成文
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第18期116-130,共15页
纯度不低于4N的高纯钛是集成电路制造所用钛靶材的关键原料,半导体器件的特征尺寸不断减小,不仅对高纯钛的纯度提出了更高的要求,还要求高纯钛必须有极低的氧含量。然而,钛极高的化学活性和吸氧能力限制了高纯低氧钛的稳定、低成本生产...
纯度不低于4N的高纯钛是集成电路制造所用钛靶材的关键原料,半导体器件的特征尺寸不断减小,不仅对高纯钛的纯度提出了更高的要求,还要求高纯钛必须有极低的氧含量。然而,钛极高的化学活性和吸氧能力限制了高纯低氧钛的稳定、低成本生产。目前,针对钛的这一独特性质,人们往往联合使用多种提纯方法进行高纯钛的工业化生产,并对各种提纯方法中可能引入杂质的种类及途径进行了深入研究,以期最大程度地去除钛中的各种杂质,实现高纯低氧钛的规模化稳定生产。本文对高纯钛工业化生产所涉及的主要方法——Kroll(克罗尔)法、熔盐电解法、碘化法和电子束熔炼法,以及这些方法中涉及到的重要钛卤化物的制备、提纯方法进行了综述,最后对这些主要生产方法进行了分析对比,指出了碘化法在高纯低氧钛工业化生产上的优势和亟待解决的问题。
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关键词
高纯低氧钛
卤化
钛
精炼工艺
碘化法
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职称材料
题名
高纯度钛的应用与制备研究进展
1
作者
朱灏
汪浩
檀成鹏
胡珺
刘丽君
李明亚
于晓东
谭成文
机构
北京理工大学材料学院
东北大学秦皇岛分校资源与材料学院
海朴精密材料(苏州)有限责任公司
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第18期116-130,共15页
文摘
纯度不低于4N的高纯钛是集成电路制造所用钛靶材的关键原料,半导体器件的特征尺寸不断减小,不仅对高纯钛的纯度提出了更高的要求,还要求高纯钛必须有极低的氧含量。然而,钛极高的化学活性和吸氧能力限制了高纯低氧钛的稳定、低成本生产。目前,针对钛的这一独特性质,人们往往联合使用多种提纯方法进行高纯钛的工业化生产,并对各种提纯方法中可能引入杂质的种类及途径进行了深入研究,以期最大程度地去除钛中的各种杂质,实现高纯低氧钛的规模化稳定生产。本文对高纯钛工业化生产所涉及的主要方法——Kroll(克罗尔)法、熔盐电解法、碘化法和电子束熔炼法,以及这些方法中涉及到的重要钛卤化物的制备、提纯方法进行了综述,最后对这些主要生产方法进行了分析对比,指出了碘化法在高纯低氧钛工业化生产上的优势和亟待解决的问题。
关键词
高纯低氧钛
卤化
钛
精炼工艺
碘化法
Keywords
high-purity low-oxygen titanium
titanium halide
refining process
iodide process
分类号
TF804 [冶金工程—有色金属冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高纯度钛的应用与制备研究进展
朱灏
汪浩
檀成鹏
胡珺
刘丽君
李明亚
于晓东
谭成文
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
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