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高纯度钛的应用与制备研究进展
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作者 朱灏 汪浩 +5 位作者 檀成鹏 胡珺 刘丽君 李明亚 于晓东 谭成文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第18期116-130,共15页
纯度不低于4N的高纯钛是集成电路制造所用钛靶材的关键原料,半导体器件的特征尺寸不断减小,不仅对高纯钛的纯度提出了更高的要求,还要求高纯钛必须有极低的氧含量。然而,钛极高的化学活性和吸氧能力限制了高纯低氧钛的稳定、低成本生产... 纯度不低于4N的高纯钛是集成电路制造所用钛靶材的关键原料,半导体器件的特征尺寸不断减小,不仅对高纯钛的纯度提出了更高的要求,还要求高纯钛必须有极低的氧含量。然而,钛极高的化学活性和吸氧能力限制了高纯低氧钛的稳定、低成本生产。目前,针对钛的这一独特性质,人们往往联合使用多种提纯方法进行高纯钛的工业化生产,并对各种提纯方法中可能引入杂质的种类及途径进行了深入研究,以期最大程度地去除钛中的各种杂质,实现高纯低氧钛的规模化稳定生产。本文对高纯钛工业化生产所涉及的主要方法——Kroll(克罗尔)法、熔盐电解法、碘化法和电子束熔炼法,以及这些方法中涉及到的重要钛卤化物的制备、提纯方法进行了综述,最后对这些主要生产方法进行了分析对比,指出了碘化法在高纯低氧钛工业化生产上的优势和亟待解决的问题。 展开更多
关键词 高纯低氧钛 卤化 精炼工艺 碘化法
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