1
|
高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究 |
毛开礼
胡彦飞
王英民
李斌
赵高扬
|
《电子工艺技术》
|
2017 |
0 |
|
2
|
半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展 |
彭燕
陈秀芳
谢雪健
徐现刚
胡小波
杨祥龙
于国建
王垚浩
|
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
|
2021 |
6
|
|
3
|
我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世 |
|
《企业技术开发》
|
2015 |
0 |
|
4
|
第三代半导体碳化硅单晶衬底企业同光晶体完成A轮融资 |
|
《中国集成电路》
|
2021 |
0 |
|
5
|
基于半绝缘SiC衬底GaN HEMT体陷阱的效应分析 |
牛梓戌
|
《电子技术(上海)》
|
2024 |
0 |
|
6
|
半绝缘InP单晶及其在微电子器件中的应用 |
邓志杰
郑安生
俞斌才
|
《中国集成电路》
|
2002 |
0 |
|
7
|
SiC外延衬底研究现状及其应用前景 |
毛开礼
王英民
李斌
赵高扬
|
《电子工艺技术》
|
2014 |
0 |
|
8
|
半绝缘GaAs单晶衬底的繁荣期 |
邓志杰(摘译)
|
《现代材料动态》
|
2007 |
0 |
|
9
|
山东大学大直径SiC单晶研究获突破 |
|
《现代材料动态》
|
2007 |
0 |
|
10
|
GaAs、GaP、InP等Ⅲ—Ⅴ族化合物的最新动向 |
藤田庆一郎
芦云蓉
|
《微纳电子技术》
|
1978 |
0 |
|