我国高纯度氧化铝电子陶瓷的技术进步

本文叙述了我国几十年来高纯度氧化铝电子陶瓷的技术进步,随着电子器件功率的增大和电力电子技术的快速发展,高纯度氧化铝电子陶瓷的各种性能都需要相应的提升。本文也介绍了一些典型的国内外这方面陶瓷的配方,以资比较。通过多方面的应用和比较,确认四元系高纯度氧化铝电子陶瓷是氧化铝陶瓷家族中较为优秀的一员,应该得到进一步的推广和应用。

陶瓷平板膜在球形氧化铝提纯工序中的应用

针对四川某高新材料股份有限公司生产的高纯度球形氧化铝粉体,产品在烧球制备过程中需改变粒径的大小,烧球后的粉体具有较高的电导率和磁性,物料中还有一些杂质和金属残渣。提纯工序是产品的最后关键工序,工序采用“预处理筛分+陶瓷平板膜超滤”工艺。该工艺采用高温纯水与粉体混合成浆料,浆料与纯水混合摩擦置换出高电导率的废水,用陶瓷平板膜超滤工艺将浆料中的高电导率废水分离出来,达到提高球化率,降低电导率,去除杂质的效果。实机运行证明,陶瓷平板膜提纯处理能力为600kg/批次,每天8小时处理4个批次,120分钟/批次,过滤通量200~300L/m^(2)·h,出水稳定,浊度≤0.5 NTU,30~60天离线清洗一次;经过该工艺处理后的球形氧化铝粉体纯度≥99.9%,球化率96%~98%,pH范围7~8,电导率≤5μs/cm,其特征指标满足企业质量标准及优于GB/T24487-2022《氧化铝》标准中的化学成分和外观质量要求。

氧化铝电子陶瓷封接件生产中流蜡、排蜡困难现象研究

陶瓷排蜡过程中出现的流蜡、排蜡困难问题成为影响我国电子陶瓷封接件质量和成品率的重要原因之一。本文研究了电子陶瓷封接件的表面质量以及经球磨和振动磨加工后的氧化铝粉材颗粒的形貌和粒度分布 ,探讨了氧化铝粉材的排蜡现象 ,分析了排蜡过程中产生流蜡、排蜡困难问题的原因 ,认为出现的问题与氧化铝粉材颗粒的粒度分布和形貌有着密切的关系。

回转窑煅烧生产电子陶瓷用低钠氧化铝技术研究

低钠α-氧化铝具有抗磨损、耐腐蚀、绝缘性好等优点,在电子陶瓷、耐火材料等领域应用广泛。国内主要采用燧道窑、梭式窑并通过添加矿化剂进行生产,存在能耗高、设备腐蚀等问题。本文以工业氧化铝为原料,通过对原料进行预处理除杂,采用回转窑生产出氧化钠含量小于300×10-6的低钠煅烧氧化铝,具有高效、低耗和环保等优点,可用作生产电子陶瓷、玻璃基板用原料。

氧化铝电子陶瓷金属化的研究

对氧化铝电子陶瓷结构作了研究，开发了氧化铝金属的几种工艺，酸性工艺是其中最好的一种方法。提出了铜层和氧化铝基体结合力的二种不同机理。

高纯氧化铝与高纯氧化镁的制备方法及其物理性能研究

本研究旨在探索高纯氧化铝(Al2O3)和高纯氧化镁(MgO)的制备方法及其物理性能。通过先进的制备技术,包括溶胶-凝胶法、热解法和共沉淀法,成功制备了高纯度的Al2O3和MgO材料。制备过程中优化了反应条件和工艺参数,以获得纯度高、晶体结构良好的样品。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行了表征,并研究了其物理性能。结果表明,高纯度的Al2O3和MgO材料具有优异的晶体结构、高热稳定性和良好的抗化学腐蚀性能。这些研究结果为高纯度氧化铝和氧化镁在材料科学和工程领域的应用提供了重要的参考价值。

三氧化铝催化合成丙交酯

采用三氧化二铝作催化剂催化乳酸脱水,讨论了丙交酯制备过程中的影响因素,用重结晶法得到了高纯度的丙交酯,并通过熔点、红外光谱对丙交酯进行了表征。

阳极氧化工艺对氧化铝纳米孔膜形成过程及结构的影响

采用高纯度的铝片为阳极,以铂网为阴极,在3%～5%草酸溶液中,电压在30～70V,温度控制在17～25℃范围内进行恒压阳极氧化制备氧化铝膜,并采用环境扫描电镜观察纳米孔形貌,金相显微镜测量氧化膜厚度。研究了电解电压、电解液浓度、温度等条件对氧化铝多孔膜结构的影响。结果表明:氧化膜形成速度、纳米孔孔径、胞径、孔壁厚度、氧化膜厚度受电解电压影响显著,随着电解液浓度和温度的增大,氧化膜生长速度加快,纳米孔孔径、孔壁厚度等都随之增大,在相同时间内生成的氧化膜厚度增大。

几种电子陶瓷材料的研究与思考

给出了氧化铝陶瓷、微波陶瓷及PTC热敏陶瓷等几种电子材料的一些研究成果。发现95%~97%Al2O3陶瓷的机械强度不仅和晶体大小，而且和形貌及分布有关。制备的(Zr，Sn)TiO4微波陶瓷的?r为35~41，?f为(-14^+20) ×10-6℃-1和Q0≥5 000 (10 GHz)。采用化学共沉淀法制备了超细 (Ba，Sr，Pb) TiO3粉并获得了高性能PTC热敏陶瓷。对研究成果产业化进展提出若干思考问题并进行了探讨。

ZL-202型电子陶瓷流延基片用Al_2O_3应用效果与分析

介绍了ZL-202型电子陶瓷流延基片用α-Al2O3的分析结果和应用情况,认为这种陶瓷原 料易粉碎、易烧结、穗定性好,所作陶瓷制品密度高、光洁度好。

超细高纯氧化铝的制备

系统地介绍了超细高纯氧化铝的制备方法。作者在总结归纳的基础上,将制备方法分为三大类:气相法、液相法和多孔粗氧化铝后处理法。指出了用各种方法制得的氧化铝粉末的粒径、晶型和纯度,并比较了各类方法的优缺点。

用粉煤灰生产高纯氧化铝和高标号水泥——波兰吉米克自粉化工艺介绍

前言随着火电的发展,粉煤灰的排放量也急剧增加。1988年,全国粉煤灰的排放量已达5777万吨,利用量仅1350万吨,利用率不到25%。各灰场总占地已达20万亩,累计储灰量估计有5～10亿吨之多。尽管如此,每年还有400万吨灰渣排入江河湖海,堵塞航道,污染水体。

我国首次制备超出高纯稀土改性氧化铝

2018-11-25,上海交通大学包头材料研究院赛福尔新材料有限公司表示,由上海交通大学材料科学与工程学院研发团队自主研发的稀土改性高纯度蓝宝石原料中试项目正式投产,生产线首次产出5N(纯度大于99. 999%)高纯氧化铝产品。高纯度氧化铝是铝产业的高端产品,又是人造蓝宝石的主要原材料,新项目弥补了国际稀土高纯铝制备技术空白,也将使高纯铝产业链和人造蓝宝石产业链实现全线贯通。

高纯氧化铝粉制备研究进展

高纯度的氧化铝凭借自身良好的物化特性,在电子、机械、光学、化工等领域有着非常广泛的应用,属于一种非常重要的特种功能材料。本文对高纯氧化铝粉的制备方法进行了简要分析,总结了相关领域的研究进展。

激光合成Al_2O_3－WO_3陶瓷的电子显微分析

本文利用透射电镜（ＴＥＭ）及能量色散Ｘ射线衍射分析（ＥＤＡＸ）技术对激光合成的Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料进行分析．ＴＥＭ分析表明，在Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３材料的胞状结构中，Ａｌ２Ｏ３形成柱状单晶且Ｃｏ轴平行生长轴，Ａｌ２（ＷＯ４）３及ＡｌｘＷＯ３位于Ａｌ２Ｏ３柱状晶间界；非平衡相ＡｌｘＷＯ３中存在畴及超晶格结构，Ａｌ３＋对ＷＯ３母体网格Ａ位占位是有序的．ＥＤＡＸ结果则指出合成材料Ａｌ２Ｏ３晶粒中Ｗ杂质的浓度随配料ＷＯ３含量的增加而增大；样品合成过程中激光功率从最高值连续降低至０瓦可减少Ａｌ２Ｏ３晶粒Ｗ的掺入量；高温下对合成样品长时间热处理可使Ｗ杂质从Ａｌ２Ｏ３中释放出．材料电性质测试结果表明，材料电阻率与其中Ａｌ２Ｏ３晶粒Ｗ含量紧密相关，Ｗ的含量越高，材料电导率越大．

高纯度氧化铝粉体颗粒细化对烧结致密化及透光性能的影响

以法国Baikowski公司高纯度氧化铝粉体为参照,选取大连瑞尔精细陶瓷有限公司产超高纯度氧化铝粉体为研究对象。采用研磨处理,以改善国产氧化铝粉体的形貌、粒径及其分布。分别采用硅钼电炉中常压烧结和真空气氛下在1850℃烧结2种不同的烧结方式评价了研磨后粉体的烧结性能和用于制备半透明氧化铝陶瓷的可行性。结果表明:经过研磨改性处理后,粉体的粒径分布和比表面积接近于法国粉体;在1600℃常压烧结得到的氧化铝陶瓷达到理论密度的97%,具有均一的晶粒尺寸(～5μm)。添加MgO为烧结助剂,在真空下烧结得到了半透明氧化铝陶瓷,在波长为200～1100nm范围直线透过率最大值达到16%。

Al/Al_2O_3陶瓷接合基板的制备及性能研究

在675～825℃、氮气气氛下,使用石墨模具压铸的方法制备出Al/A12O3电子陶瓷基板,利用力学拉伸试验机测试了Al和Al2O3的结合强度,界面抗拉强度>15.94MPa,使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究了其界面的微观结构.