集成电路用高纯镍铂靶材的制备及发展趋势

本文围绕半导体集成电路产业的需求,综合说明了高纯镍铂靶材制备过程中纯度、组织及透磁率、表面质量的控制要求、技术难点及发展趋势。针对65 nm以下制程使用的高纯镍铂靶材,纯度方面由4N5(99.995%)逐步提升至5N(99.999%)及以上;组织及透磁率方面向精确调控晶粒取向追求高透磁同时保证组织均匀的方向不断优化;表面质量方面向低粗糙度方向不断发展。