添加高纯SiO2微粉对Al2O3-SiC-C铁沟料性能的影响

以棕刚玉、碳化硅、铝酸盐水泥、氧化铝微粉等原料制备Al2O3-SiC-C质铁沟浇注料,对比研究了普通SiO2微粉与高纯SiO2微粉对浇注料性能的影响。结果表明:1)高纯SiO 2微粉杂质含量极低,其体积平均粒径仅为普通SiO2微粉的10%,比表面积比普通SiO2微粉高50%。2)在铁沟浇注料使用高纯SiO2微粉可以促进铁沟浇注料凝固,降低铁沟浇注料的需水量,提高铁沟浇注料的成型致密度、常温强度、高温强度、抗渣性能和实际使用寿命。

沉淀法制备高纯SiO_2粉体

采用分步沉淀法,以自制含硅溶液与氨水反应制备高纯SiO2粉体,分析溶液pH、氨水浓度及酸洗工艺对SiO2粉体纯度的影响。结果表明:除去含硅溶液在pH为7时的沉淀物后,继续与氨水反应的沉淀物经过酸洗,可得到常规金属杂质质量分数仅为1.8×10-6的超高纯纳米SiO2粉体。

高纯球形纳米SiO_2的制备、改性与应用研究

高纯球形纳米SiO_2是一种具有诸多优越性能的新型材料,对于诸多行业产品的提档升级具有极其重要的意义。本文综述了纳米SiO_2的制备及改性方法,对各种方法进行了归纳和评价,并对其应用领域作了简要概括。通过研究表明,以粉石英为基本原料,采用溶胶-凝胶法制备的纳米SiO_2具有纯度高、球形度高、成本低等特点。

高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭和组件光衰的影响

研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,两种隔离层对铁杂质都具有阻挡作用,预烧结的隔离层有利于降低硅锭中的氧浓度,其对应的硅锭中氧浓度和组件光致衰减率均为最低,而未经烧结的隔离层并未体现出这一作用。通过两种隔离层的SEM图像可以发现,经过预烧结工艺的隔离层结构更为致密;而未经烧结的隔离层中孔隙较多,可能容易引起硅熔体与隔离层或者坩埚进行反应,将较多的氧杂质引入到硅锭中,从而造成氧含量的增加并引起组件较高的光致衰减率。

硅藻土制高纯超细活性SiO_2微粉的研究

综述了硅藻土的结构和基本特征,讨论了高纯超细活性SiO2 微粉的提纯和超细粉碎制备方法及其应用领域和市场前景。

利用BP网络建立稻壳制备高纯纳米SiO_2数学模型

为降低纳米SiO2的制备成本,以稻壳为原料,经盐酸预处理、高温燃烧,成功制得了高纯纳米SiO2.通过正交实验和BP神经网络系统研究盐酸体积分数、燃烧温度和燃烧时间的变化对SiO2纯度的影响规律,并采用XRD、FT-IR、BET及FE-SEM对所得到的SiO2样品进行表征.研究表明:影响SiO2纯度的主次因素依次为燃烧温度>盐酸体积分数>燃烧时间,模型优选确定稻壳制备高纯纳米SiO2的最佳工艺为盐酸体积分数4.5%、燃烧温度697℃、燃烧时间5 h,在此条件下得到的SiO2纯度可达99.45%,与模型预测值99.58%的相对误差仅为0.13%.由稻壳制备的SiO2具有无定形多孔结构,平均粒径为80 nm,比表面积为243 m2/g,孔径分布在2～10 nm,平均孔径5.60 nm.

用氟硅酸和碳铵制高纯二氧化硅的新工艺

由磷肥厂副产氟硅酸同碳铵反应得氟硅酸铵 ,再和碳铵反应生成SiO2 沉淀 ,经过滤、水洗、干燥、煅烧得高纯SiO2 ,其金属杂质总含量小于 10× 10 -6,含放射性元素铀和钍各小于 10× 10 -9,通过实验获得了适宜的工艺条件 ,反应温度 70℃～ 80℃ ,反应时间 1 5h～ 2 0h ,配料比n(NH4HCO3 )∶n((NH4) 2 SiF6) =4 4。提出了一条由氟硅酸制高纯SiO2 的新工艺。

二氧化碳沉淀法制备高纯二氧化硅的工艺研究

研究了用二氧化碳沉淀法制备高纯二氧化硅的工艺,试验内容主要分为两个工艺段,首先用工业二氧化碳与空气的混合气体从初步净化后的偏硅酸钠溶液中沉淀出偏硅酸,控制好温度、气体流量、二氧化硅浓度及pH等条件,在沉淀过程中溶液中的部分杂质不与偏硅酸一同沉淀,实现与部分Al,B,P等杂质的分离,从而获得铝、铁含量较低的偏硅酸。获得的偏硅酸用去离子水充分洗涤后,烘干脱水,分析其中的杂质含量;其次是用盐酸溶出获得的偏硅酸中的杂质,控制液固比、温度、反应时间及酸浓度,在常压下反应一定的时间、然后抽滤、分离得偏硅酸,用去离子水洗至中性后,再用一定含量的氯化铵溶液洗涤,最后用去离子水充分洗涤,获得的偏硅酸在850℃下煅烧2 h,就获得了纯度≥99.99%的二氧化硅。