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真空热压烧结对高纯W-Si合金靶材性能影响 被引量:3
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作者 丁照崇 何金江 +2 位作者 罗俊锋 李勇军 熊晓东 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1403-1406,共4页
以高纯W-Si合金粉(〉99.995%)为原料,采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材。研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响。结果表明,烧结温度在1350-1380℃,热压压力25~30MPa,保温时间1... 以高纯W-Si合金粉(〉99.995%)为原料,采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材。研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响。结果表明,烧结温度在1350-1380℃,热压压力25~30MPa,保温时间1.5~2h,可制备出相对密度99%以上、平均晶粒尺寸100gm以内的高性能W-Si合金靶材。 展开更多
关键词 高纯w-si合金 磁控溅射靶材 真空热压烧结
原文传递
高纯W-Si合金粉的研制
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作者 丁照崇 陈明 +2 位作者 刘书芹 王欣平 吕保国 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1269-1271,共3页
以高纯W粉、Si粉为原料,在真空环境下进行高温预合金化处理,制备了高纯W-Si合金粉。通过优化,确定了最佳预合金化温度为1000℃;合金粉中,单质W相消失,生成WSi2相。粉末粒度呈单峰分布,d50为21.037μm,d90为50.905μm,纯度可达到99.995%... 以高纯W粉、Si粉为原料,在真空环境下进行高温预合金化处理,制备了高纯W-Si合金粉。通过优化,确定了最佳预合金化温度为1000℃;合金粉中,单质W相消失,生成WSi2相。粉末粒度呈单峰分布,d50为21.037μm,d90为50.905μm,纯度可达到99.995%以上。采用合金粉烧结的磁控溅射靶材的微观组织、成分均匀分布,解决了W-Si靶材成分难以均匀的难题。 展开更多
关键词 高纯w-si 预合金化 磁控溅射靶材
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