真空热压烧结对高纯W-Si合金靶材性能影响

以高纯W-Si合金粉（〉99．995％）为原料，采用真空热压烧结工艺制备高纯W-Si合金靶材。研究烧结温度、热压压力、保温时间等工艺条件对靶材密度、微观组织性能的影响。结果表明，烧结温度在1350-1380℃，热压压力25～30MPa，保温时间1．5～2h，可制备出相对密度99％以上、平均晶粒尺寸100gm以内的高性能W-Si合金靶材。

高纯W-Si合金粉的研制

以高纯W粉、Si粉为原料,在真空环境下进行高温预合金化处理,制备了高纯W-Si合金粉。通过优化,确定了最佳预合金化温度为1000℃;合金粉中,单质W相消失,生成WSi2相。粉末粒度呈单峰分布,d50为21.037μm,d90为50.905μm,纯度可达到99.995%以上。采用合金粉烧结的磁控溅射靶材的微观组织、成分均匀分布,解决了W-Si靶材成分难以均匀的难题。