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SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向
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作者 邓隐北 郭学梅 +1 位作者 张子亮 史谦东 《电源世界》 2015年第9期38-41,37,共5页
SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。
关键词 功率芯片 SIC 高绝缘击穿电场强度
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