期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向
1
作者
邓隐北
郭学梅
+1 位作者
张子亮
史谦东
《电源世界》
2015年第9期38-41,37,共5页
SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。
关键词
功率芯片
SIC
高绝缘击穿电场强度
原文传递
题名
SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向
1
作者
邓隐北
郭学梅
张子亮
史谦东
机构
河南亮明电控设备有限公司
新乡学院
出处
《电源世界》
2015年第9期38-41,37,共5页
文摘
SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。
关键词
功率芯片
SIC
高绝缘击穿电场强度
Keywords
PowerIC
SiC
High-dielectric breakdown strength
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向
邓隐北
郭学梅
张子亮
史谦东
《电源世界》
2015
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部