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新型高耐压功率场效应晶体管
1
作者
陈永真
《电源技术应用》
2002年第1期43-45,共3页
分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾,介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构,分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理,介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。
关键词
导通电阻
MOSFET
高耐压功率
场效应晶体管
下载PDF
职称材料
题名
新型高耐压功率场效应晶体管
1
作者
陈永真
机构
辽宁工学院
出处
《电源技术应用》
2002年第1期43-45,共3页
文摘
分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾,介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构,分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理,介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。
关键词
导通电阻
MOSFET
高耐压功率
场效应晶体管
Keywords
Horizontal orientation electric field
Exhausted layer
On resistance
SCSOA
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
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1
新型高耐压功率场效应晶体管
陈永真
《电源技术应用》
2002
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