近程碰撞对He^+离子诱发背向电子发射贡献比例的计算

用Monte Carlo方法模拟了高速He+ 离子入射到C ,Cu和Al固体表面所诱发的电子发射 .用这个程序计算了背向的电子发射产额 ,并且同时计算了近程碰撞对总的背向电子发射产额的贡献比例 ,对C ,Cu和Al其值分别是0 5 ,0 5 5和 0 .42 .对在近程碰撞中产生的高能δ电子 (E >10OeV)对背向电子发射行为的影响也进行了详尽地讨论 ,只有那些能量为几百个eV的δ电子对产额的贡献比例较大 .对于C靶 ,δ电子对电子阻止本领最大值附近的二次电子发射行为会产生影响 .