反射高能电子衍射的原理及其应用

本文介绍了反射高能电子衍射的工作原理，并将其与低能电子衍射进行了比较，表明ＲＨＥＥＤ具有很多优越性。另外，综述了国内外有关利用ＲＨＥＥＤ进行表面科学及新材料研究方面的应用。

反射式高能电子衍射对氧化物薄膜生长的原位监测

反射式高能电子衍射是一种对薄膜表面结构非常敏感的实时监测手段,通过对衍射花样的研究可以获得诸多有益的信息,将其引入薄膜制备装置对高质量薄膜的生长有着积极的指导意义。

谈谈反射式高能电子衍射的应用

本文介绍了应用反射式高能电子衍射(RHEED)对Mn在GaAs(001)面上的分子束外延结果的实时观察分析,不仅给GaAs(001)清洁表面的衍射图样以解释.而且对RHEED反映的体结构信息进行了观察分析,从而初步判定常温下亚稳态γ-Mn的结构.

用于MBE中的反射式高能电子衍射仪

对用于分子束外延(MBE)中的反射式高能电子衍射仪(RHEED)的工作原理以及RHEED衍射强度振荡在测量外延生长速率的应用进行了详尽的阐述;针对样品盘与RHEED系统的兼容问题,对样品盘进行了新的设计,并进行了实验研究。

分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用

在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As材料的AlAs摩尔分数,即x值。

反射式高能电子衍射强度振荡的自动测量系统

本文介绍一套测量反射式高能电子衍射强度振荡的简单而有效的系统,并以此对Si(111)衬底上同质外延Si时的RHEED强度振荡特性进行了观测。

反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.

高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜

在超高真空分子束外延 (MBE)生长技术中 ,反射式高能电子衍射仪 (RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程 ,给出薄膜表面结构和平整度的信息 ,成为MBE必备的原位表面分析仪 .为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2 Cu3 O7)、铁电薄膜 (Sr1 -xBaxTiO3 )及它们的同质和异质外延结构的生长机理 ,获得高质量的符合各种应用需要的氧化物多层薄膜结构 ,在常规的制备氧化物薄膜的脉冲激光沉积 (PLD)设备上配备适合在高气压制膜条件下使用的高气压反射式高能电子衍射仪 (high pressureRHEED) ,在国内首先实现氧化物薄膜生长过程的实时监控 .详细介绍了高气压反射式高能电子衍射仪的结构和特性 ,给出了碳酸锶 (SrTiO3 )基片上同质外延碳酸锶铌 (SrTiO3 +2 %Nb)和异质外延钇钡铜氧 (Y1 Ba2 Cu3 O7)薄膜生长过程中衍射图形和零级衍射强度震荡 .

SrTiO_3同质外延过程中的反射高能电子衍射图案分析

在激光分子束外延实验中 ,用RHEED原位监测了SrTiO3基片初始、退火以及同质外延过程中的表面形态 .通过对RHEED图案分析 ,获取了表面面内的晶格常数振荡与衍射条纹的半高宽振荡现象 ,前者是由退火重构表面与薄膜之间的界面造成的 ,后者与二维岛边界的弛豫相关 .

高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi_(1-x)的分子束外延生长模式

用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi(1-x)材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经过10nm左右的Si生长才能获得比较平整的表面.Si,Ge_xSi_(l-x)外延时的稳定表面均以双原子台阶为主,双原子台阶与单原子台阶并存的结构.Si双原子台阶上的Si二聚体列(dimer row)取向垂直于台阶边缘,而Ge_xSi_(1-x)双原子台阶上的二聚体列取向却与台阶边缘平行(相对于Si二聚体列转90°),并且Ge_xSi_(l-x)双原子台阶边缘比Si双原子台阶边缘平直.

双轴织构氧化铈薄膜的反射高能电子衍射分析

为了制备高温超导带材,采用直流反应磁控溅射在Ni-5%(摩尔分数)W衬底上制备双轴织构的CeO2薄膜用作缓冲层。通过反射高能电子衍射仪观察分析了双轴织构CeO2的衍射谱。选取某一衍射点,提取其衍射强度相对直入点的弧度分布,拟合半高宽得到其面外取向分布;旋转样品,对某一非对称晶面的衍射强度做摇摆分析,得到其面内取向分布,其结果均与X射线衍射分析结果较为吻合。在CeO2缓冲层上制备的YBa2Cu3O7薄膜的临界温度为88 K,临界电流密度为1.2 MA/cm2(77 K)。

热漫散射贡献的高能电子衍射吸收结构因子的Doyle-Turner解析表述

给出了一种数值计算高能电子衍射吸收结构因子的方法,并利用模拟退火结合保温相变以及线性最小二乘拟合等算法,对所计算出的吸收结构因子数值进行了含10个参数的Doyle-Turner解析表述的拟合,作为示例,给出Be,Al As,Ag,Au等5个元素的拟合结果和精度。

反射高能电子衍射优化GaSb薄膜生长的工艺研究

在利用分子束外延(MBE)技术生长GaSb薄膜材料过程中,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实现了GaSb薄膜制备的实时监控。利用RHEED衍射振荡图样,对衬底表面的脱氧化层和生长过程进行分析和研究,得到了生长参数与衍射图样变化之间的关系,确定了衬底脱氧化层的温度;通过计算生长速率,实现了源温度、束流比和生长温度的优化;利用双晶X射线衍射(XRD)测试技术对GaSb外延薄膜层的表面生长质量进行初步表征和分析,证明了实验生长的薄膜材料基本可满足器件制备的要求,为下一步采用MBE制备量子阱及超晶格结构提供了实验依据。

反射高能电子衍射系统（RHEED）

高能电子小角度（～2℃）掠射样品表面，可以得到电子衍射图像，通过分析电子衍射图像，可以进行表面晶体构造分析，晶体成长过程观察及成膜厚度的监控。

反射高能电子衍射系统（RHEED）

高能电子小角度（-2℃）掠射样品表面，可以得到电子衍射图像．通过分析电子衍射图像，可以进行表面晶体构造分析，晶体成长过程观察及成膜厚度的监控．

电子光学

O463 95021389反射高能电子衍射的原理及其应用=Principleand applications of reflection high energyelectron diffraction[刊,中]/曹青,叶志镇(浙江大学)//材料科学与工程.—1994,12(3).—56—58。

中国流——记电子显微学家彭练矛

在人们面前如同一座山,神色平和,稳重敦厚,有如大山一般气质,他是“中国流”的追梦人。

超高真空中SrTiO_3薄膜同质外延生长的过程研究

在超高真空下利用激光分子束外延 (LMBE)方法基于SrTiO3 (10 0 )单晶基片同质外延SrTiO3 薄膜。通过反射式高能电子衍射 (RHEED)对生长过程进行原位监测 ,发现对基片的预热处理明显有利于改善其晶面结构 ,当在其上同质外延Sr TiO3 薄膜时 ,容易实现单晶层状生长模式 ,并得到原子级平整度的铁电薄膜。

Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长

国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜与衬底的外延取向关系,并考察了薄膜制备过程中衬底的碳化对薄膜质量的影响。结果表明,外延膜与衬底晶格取向完全一致;碳化可以减小SiC和衬底Si之间的晶格失配、释放应力、引入成核中心,有利于薄膜单晶质量的提高;碳化温度存在最佳值,这一现象与成核过程有关。

不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响

分别在未沉积Ge和不同衬底温度(300、500、700℃)沉积Ge条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)等仪器对样品进行测试。测试结果表明,预沉积Ge的样品质量明显好于未沉积Ge的样品,而且随着预沉积温度的升高,薄膜的质量在逐渐地变好。