计算机模拟在高能背散射分析中的应用

系统总结了计算机模拟方法在高能背散射分析中的多种应用。通过应用测得的高能背散射截面数据，更新了ＲＵＭＰ程序的高能区数据库，将其扩展到高能背散射分析之中。文章除了通过实例阐明模拟方法的优势所在之外，还以４Ｈｅ－１２Ｃ背散射为例，说明了可以借助计算机模拟快速确定非卢瑟福背散射截面．

高能离子背散射研究钇离子注入H_（13）钢的抗氧化特性

用５．８ＭｅＶ４Ｈｅ离子和３ＭｅＶ质子背散射研究了强束流钇注入的Ｈ１３钢的高温氧化特性，由直接测定氧化层中氧原子面密度得知经钇离子注入后在８００℃氧化４５ｍｉｎ条件下抗氧化能力提高了２５倍．观察到了元素铬在注钇氧化层中的富集以及氧离子在氧化过程中的扩散与未注入时有明显的区别．

用低能离子溅射剥层和高能离子背散射组合方法进行薄膜原位分析

介绍了将离子枪组合于卢瑟福背散射分析靶室中构成Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ／ＲＢＳ原位分析实验装置，用低能离子溅射剥层与高能离子背散射组合对薄膜样品进行成分和深埋层分析方法．给出了对样品分析的三个例子．对Ａｕ／Ｓｉ 样品的分析着重讨论了Ａｕ 在Ａｒ＋ 溅射剥层时的溅射速率；对Ｓｉ／ＧｅＳｉ／Ｓｉ 和ＷＳｉｘ／ＳｉＯ２／Ｓｉ 样品的深埋层分析，提高了样品分析的深度分辨率．