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高能质子辐照缺陷对晶闸管开关特性的影响
1
作者
廖志君
林理彬
邹睿
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第z1期37-40,共4页
讨论了高能质子辐照产生缺陷类型及其对晶闸管开关特性的影响。不同能量的单束质子辐照和双束质子辐照晶闸管 ,提高了其开关特性。由红外吸收光谱得知 ,影响晶闸管通态压降的主要因素是单空位缺陷类型。
关键词
高能质子辐照
晶闸管
红外光谱
下载PDF
职称材料
题名
高能质子辐照缺陷对晶闸管开关特性的影响
1
作者
廖志君
林理彬
邹睿
机构
四川大学
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第z1期37-40,共4页
文摘
讨论了高能质子辐照产生缺陷类型及其对晶闸管开关特性的影响。不同能量的单束质子辐照和双束质子辐照晶闸管 ,提高了其开关特性。由红外吸收光谱得知 ,影响晶闸管通态压降的主要因素是单空位缺陷类型。
关键词
高能质子辐照
晶闸管
红外光谱
Keywords
proton irradiation
thyristor
IR spectrum
分类号
TL [核科学技术]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
高能质子辐照缺陷对晶闸管开关特性的影响
廖志君
林理彬
邹睿
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
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