高谐波抑制性能的射频高功率校准系统

随着武器装备中射频大功率设备大量应用,仅在激励源输出端增加功率放大器的方式已经不能够满足高功率下的高性能校准要求了,尤其对于窄频带大功率计的计量校准需求。基于射频高功率校准系统的工作原理和性能特点,分析了在高功率下产生的谐波对功率校准引入了比较大的测量误差。选用LC腔体结构的高阻带滤波器设计,获得了较高的信号抑制能力;通过采用多组高阻带性能的低通和带通滤波器组合单元设计,实现了宽频带的射频高功率校准系统的谐波抑制要求。实验结果表明,采用高阻带滤波器的组合单元设计获得了较高的谐波抑制性能,从而提供了一种构建高准确度测量的射频高功率校准方法。

一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC

报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实现良好输入输出匹配的同时兼顾增益平坦度。最终实现的八次倍频器芯片3 dB工作带宽为16 GHz(84～100 GHz),输出功率大于13 dBm,谐波抑制度大于40 dBc,带内谐波抑制度大于60 dBc。芯片面积3.6 mm×1.7 mm。

基于InP HBT工艺的高功率高谐波抑制W波段宽带八倍频器MMIC

基于0.7μm InP HBT工艺,设计实现了一种高功率高谐波抑制比的W波段倍频器MMIC。电路二倍频单元采用有源推推结构,通过3个二倍频器单元级联形成八倍频链,并在链路的输出端加入输出缓冲放大器,进一步提高倍频输出功率。常温25℃状态下,当输入信号功率为0 dBm时,倍频器MMIC在78.4~96.0 GHz输出频率范围内,输出功率大于10 dBm,谐波抑制度大于50 dBc。芯片面积仅为2.22 mm^(2),采用单电源+5 V供电。

基于InP HBT工艺的C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC

基于0.7μm InP HBT工艺,设计了一款C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC。三倍频核心电路采用AB类差分级联三极管(cascode)结构,可产生丰富的奇次谐波信号,通过输出匹配网络滤出三次谐波信号并抑制其他谐波信号。输入端利用有源巴伦实现单端信号到差分信号的转换,提供较大的驱动功率同时节省面积;输出端级联缓冲放大器,提高输出功率。常温状态下,当输入驱动功率为-5 dBm时,该三倍频器在输出频率3.9~6.9 GHz范围内,输出功率大于10 dBm,偶次谐波抑制度大于33 dBc,基波抑制度大于35 dBc,五次谐波抑制度大于24 dBc。芯片供电方式为单电源+3.3 V供电,直流功耗为198 mW。

高谐波抑制环行器技术研究

环行器作为卫星中雷达、通讯等微波系统中的必备元件,起到信号定向传输、收发双工的作用。作为大功率信号的发射通路和反射信号的接收通路,其性能的优劣直接影响整机系统的功能实现,随着雷达、通信和电子对抗一体化技术的发展,对环行器提出了高谐波抑制及表贴安装要求。本文介绍了一种高谐波抑制设计的表贴环行器,该类产品的特点是高谐波抑制、体积小,表贴安装便于集成。

高效率高谐波抑制功率放大器的设计

本文首先分析了高效率高谐波抑制功率放大器设计现状,其次分析了高效率高谐波抑制功率放大器设计方式,再次分析了高效 率高谐波抑制功率放大器测试结果,旨在为高效率高谐波抑制功率放大器设计工作的进行提供参考意见,以此来提高抑制功率放大器的高 效率高谐波性能,进而推动无线通信系统的应用。

外加静电场下CO高次谐波谱

利用分子在强激光中产生的高次谐波谱可以实现对分子结构及分子中电子迁移动力学过程的探测和研究.本文采用Lewenstein模型,计算了确定取向的CO分子在线偏振光与静电场组合作用下产生的高次谐波谱.结果表明,针对外加静电场相对分子朝向的两种不同指向,高次谐波谱分别展现了双平台结构和拉长的单平台结构.理论分析表明这些谐波谱的结构特点主要来自于不同跃迁通道贡献的相干叠加.本文为极性分子在非对称场下的高次谐波的形成提供了一个清晰的物理图像,对调控极性分子的高次谐波,进而产生可控阿秒脉冲具有科学意义.

基于FFT的高精度谐波检测算法

大量非线性元件的应用给电力系统带来了大量的整数和非整数次谐波,传统的谐波检测方法快速傅立叶变换(FFT)由于存在栅栏和频谱泄漏现象,只适用于整数次谐波的分析,而不适用于非整数次谐波的检测,因此不能够实现精确的谐波分析。非整数次谐波频谱泄漏现象是因为有限长信号的傅立叶变换与理论傅立叶变换的不同而产生的。为消除频谱泄漏误差,提高检测精度,文中详细分析了FFT算法的频谱泄漏现象,在此基础上提出了改进算法。该算法通过对FFT算法做简单变换,减小了频谱泄漏误差,降低了谐波之间的相互干扰。仿真验证了该算法的高精度检测特性。该文提出的算法具有实现简单,精度高的特点,从而为电力系统中的谐波检测和分析提供了一种有效的算法。

应用非线性高阶谐波衰减和尾波干涉监测高温作用后水泥制品的损伤演化

非线性高阶谐波和尾波波速变化均能够反映水泥材料内部微结构的应力变化。利用高阶谐波和尾波干涉实验测量系统,对引入高温作用后的3类不同粒径共6块水泥试样进行单轴加载的损伤演化实验,并与无高温作用的完整试样的实验结果进行对比。结果表明,从初始状态到25%抗压强度的过程中,高温作用后的试样的谐波幅值和尾波波速变化出现明显增强的现象(谐波幅值最大增幅约20%),而无高温作用的完整试样的谐波幅值和尾波波速变化较为平稳(谐波幅值最大增幅约5%);在达到65%抗压强度的过程中,高温作用后的试样的谐波幅值和尾波波速变化急剧增大(谐波幅值最大增幅约100%),且粒径较大的试样的增幅高于粒径较小的试样,而无高温作用的完整试样的谐波幅值和尾波波速变化的增幅较小(谐波幅值最大增幅约10%);当抗压强度超过75%以后,高温作用后的试样的谐波幅值和尾波波速变化急剧衰减(谐波幅值最大衰减幅度约140%),而无高温作用的完整试样的谐波幅值和尾波波速的最大衰减幅值在40%以内。基于以上观测结果对高温作用后水泥制品损伤演化的物理机制以及这两类监测方法的适用性进行了讨论。

强场方程解的边界完备性与高次谐波平台

使用二阶对称分拆光谱方法和一维短程势原子模型对强光辐照下原子的高次谐波谱进行了重新计算 ,第一次实现了强场方程解的边界完备性 ,从而获得了更为清晰的谐波谱和展宽的谐波平台 .

浅析电网高次谐波对变压器设备的影响

针对电网高次谐波对变压器设备的影响进行了论述。

合肥同步辐射装置U26光束线45-115nm波段高次谐波抑制系统设计

为抑制合肥同步辐射装置U26光束线掠入射单色仪真空紫外波段的高次谐波,在45–115nm波段研究了Si和Al的反射率特性,结果表明:确定的入射角下,Si和Al的反射率随波长的变化有明显的截止,截止波长随入射角减小不断变大。以Si为反射镜材料,设计了两镜高次谐波抑制系统,核心由四组两两平行的平面反射镜组成,确定了每组反射镜的最佳入射角,并给出了该装置详细的结构设计参数。对该系统的高次谐波抑制效率进行计算表明,45–115nm波段的高次谐波抑制比均大于100。

三相高次谐波与无功补偿的计算机仿真

根据瞬时无功补偿理论,对以三相全控桥整流器为负载的三相有源电力滤波器进行了计算机仿真,仿真结果表明,无论是三相平衡负载还是三相不平衡负载,用有源电力滤波器来补偿无功电流和抑制谐波电流都是很有效的.

Ka波段高中频四次谐波混频器的实现

推导了反对接二级管混频原理与相差合成原理相结合实现四次谐波混频公式。结合公式提出了在Ka波段实现高中频四次谐波混频器的新的设计方案 ,进行了电路仿真并制作了混频器电路 ,通过仿真所得到的实验结果表明 。

变压器励磁涌流负序高次谐波的研究

变压器在空载合闸过程中会产生励磁涌流,其中励磁涌流中含有大量二次谐波。之前一般通过判别二次谐波含量或电流波形间断角来甄别励磁涌流。从另外一个角度即变压器负序高次谐波含量对变压器励磁涌流进行研究,通过Matlab仿真不同剩磁和对不同磁通饱和情况下,变压器空载合闸过程励磁涌流中负序高次谐波含量进行比较,得出变压器励磁涌流负序高次谐波的一些特征。

电源高次谐波对单片机系统可靠性影响分析与对策

本文旨在通过对于电源高次谐波产生的原因、影响进行研究分析,同时结合单片机系统特征,来探究电源高次谐波对于单片机系统可靠性的影响,并且提出相关的解决措施以抑制电源高次谐波的产生,提高单片机系统的可靠性。

在强场中产生相干高次谐波的真空紫外软X射线源的进展

评述了用不同激光系统获得的高次谐波，亚皮秒６１６ｎｍ同步泵浦的染料激光和亚皮秒３０８ｎｍ ＸｅＣｌ激光。讨论了激光脉冲宽度，激光波长和原子 介质对所产生的光子数和最大能量的影响。高次谐波振荡强烈地依赖聚焦条件，还讨论了Ｓｔａｒｋ效应的作用和电离极限的影响。在谐波产生的坪区和低于电离原子所需的饱和强度下，光子数按ｂ＾３τ定标律变化，τ为激光脉冲宽度，ｂ为激光共焦参数。

电力系统高次谐波、谐波放大及谐波对电力电容器的危害

本文章论述了电力系统高次谐波、谐波的放大,并且阐述了谐波对于电力电容器的危害。

可控震源地震数据谐波滤除方法

本文分析了可控震源滑动扫描中各种谐波产生的原因,指出高次谐波是其中最严重的谐波干扰类型;通过原理分析及数值试验探讨了滑动扫描方法,并基于高次谐波与原始激发信号在各频段的能量呈线性关系这个假设建立了谐波滤除的数学模型;利用参考信号倍增法生成各次谐波,并用各次谐波相关对比法估算各次谐波的能量比。将本文滤除谐波算法应用于实际数据处理,所得结果表明该方法不仅滤除谐波效果好,而且运算速度快。

双色场下MoS_(2)高次谐波产生的调制特性

使用紧束缚近似和速度规范下的密度矩阵方程对双色强激光场下单层MoS_(2)产生的高次谐波进行理论计算,通过调整双色场的延迟来观测高次谐波产生的强度随延迟的变化,发现在不同的驱动场偏振方向下高次谐波的振荡周期不同,并提出一个直观的模型来解释这一现象。当驱动场偏振沿Γ—M方向时,高次谐波的振荡周期会受到倍频光和基频光强度比的影响,从一个基频光周期内振荡2次变成振荡4次,这与倍频光和基频光的竞争有关。此外,研究了分别平行和垂直于驱动场偏振方向的偶次谐波振荡的振幅和相位信息,发现这两个方向的偶次谐波振荡相位受倍频光和基频光强度比的影响不同,这与它们的产生机制有关。理论计算表明,使用双色场作为驱动场不仅有助于理解材料反演对称性的结构信息,还有助于进一步理解固体材料中的电子动力学过程。