高质量GaN基HEMT专利技术综述

研究了高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件领域中占据主流地位的GaN基HEMT相关专利,并重点研究了该领域的专利技术发展趋势和布局。以大规模GaN膜和小尺寸GaN膜为主要切入点,针对GaN膜的材料质量所涉及的专利的技术路径以及重点技术进行深入研究,对不同路径的技术进行比较,为GaN基HEMT领域的技术发展以及专利布局提供参考。