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砷化镓光导开关的畴电子崩理论分析
被引量:
13
1
作者
刘鸿
阮成礼
郑理
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期679-684,共6页
在分析半绝缘(SI)砷化镓光导开关(PCSS)中丝状电流(流注)形成和传播的实验结果的基础上,提出了高增益砷化镓光导开关中的畴电子崩(EAD)理论.该理论完善了EAD概念,揭示了高增益GaAsPCSS中局域内的强电场作用和高载流子密度效应使非平衡...
在分析半绝缘(SI)砷化镓光导开关(PCSS)中丝状电流(流注)形成和传播的实验结果的基础上,提出了高增益砷化镓光导开关中的畴电子崩(EAD)理论.该理论完善了EAD概念,揭示了高增益GaAsPCSS中局域内的强电场作用和高载流子密度效应使非平衡载流子密度稳定增长,从而导致流注形成.应用EAD理论合理地解释了GaAsPCSS中电流丝的形成和传播,解释了在器件两端的偏置电场低于载流子本征碰撞电离的电场阈值条件下器件中存在载流子雪崩生长等实验现象,结果表明在这类具有转移电子效应的半导体器件中,EAD理论是分析流注形成的基本理论.
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关键词
光导开关
强电场作用
高载流子密度效应
稳定增长
畴电子崩
流注传播
原文传递
题名
砷化镓光导开关的畴电子崩理论分析
被引量:
13
1
作者
刘鸿
阮成礼
郑理
机构
成都大学电子信息工程学院
电子科技大学电子科学技术研究院
成都电子机械高等专科学校
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期679-684,共6页
基金
国防探索项目资助(713ty1010)
文摘
在分析半绝缘(SI)砷化镓光导开关(PCSS)中丝状电流(流注)形成和传播的实验结果的基础上,提出了高增益砷化镓光导开关中的畴电子崩(EAD)理论.该理论完善了EAD概念,揭示了高增益GaAsPCSS中局域内的强电场作用和高载流子密度效应使非平衡载流子密度稳定增长,从而导致流注形成.应用EAD理论合理地解释了GaAsPCSS中电流丝的形成和传播,解释了在器件两端的偏置电场低于载流子本征碰撞电离的电场阈值条件下器件中存在载流子雪崩生长等实验现象,结果表明在这类具有转移电子效应的半导体器件中,EAD理论是分析流注形成的基本理论.
关键词
光导开关
强电场作用
高载流子密度效应
稳定增长
畴电子崩
流注传播
Keywords
photoconductive semiconductor switch (PCSS)
high electric field effect
high carrier density effect
steady increase
electron avalanche domain (EAD)
streamer propagation
分类号
O471 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
砷化镓光导开关的畴电子崩理论分析
刘鸿
阮成礼
郑理
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
13
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