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一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器
被引量:
5
1
作者
于晓权
范国亮
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第6期784-788,共5页
针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输...
针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。
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关键词
运算
放大器
BiFET工艺
高
输入阻抗
输入
偏置电流/失调电流
输入
电压噪声谱密度
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职称材料
一种低偏置电流、高输入阻抗运算放大器电路设计
被引量:
3
2
作者
代松
唐毓尚
+2 位作者
包磊
袁兴林
陈旺云
《中国集成电路》
2021年第10期46-50,共5页
基于双极工艺设计了一种低偏置电流、高输入阻抗运算放大器。采用超β管作为输入对管,同时引入新型基极电流补偿电路,使运算放大器具有低偏置电流、高输入阻抗特性。该电路基于40V双极工艺进行设计,仿真结果显示,常温下偏置电流为11pA,...
基于双极工艺设计了一种低偏置电流、高输入阻抗运算放大器。采用超β管作为输入对管,同时引入新型基极电流补偿电路,使运算放大器具有低偏置电流、高输入阻抗特性。该电路基于40V双极工艺进行设计,仿真结果显示,常温下偏置电流为11pA,输入阻抗为1.88×10^(9)Ω,增益达到137dB,带宽达到1.3MHz。
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关键词
运算
放大器
双极工艺
偏置电流
输入阻抗
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职称材料
基于高输入阻抗放大器的EEG传感器设计
被引量:
3
3
作者
张伟林
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2014年第11期82-85,共4页
脑电(头皮脑电)图(EEG)是医疗上重要的诊断信息,目前非接触式干电极在采集EEG信号时具有使用简单、不易受环境约束的优点,具有着广阔的应用前景,已经成为全世界的热门研究课题。由于人体皮肤具有很高的阻抗,故要求非接触式干电极具有高...
脑电(头皮脑电)图(EEG)是医疗上重要的诊断信息,目前非接触式干电极在采集EEG信号时具有使用简单、不易受环境约束的优点,具有着广阔的应用前景,已经成为全世界的热门研究课题。由于人体皮肤具有很高的阻抗,故要求非接触式干电极具有高输入阻抗。为了提高输入阻抗,采用深度电压串联负反馈来实现超高输入阻抗放大电路,并给出电路的设计和分析。深度电压串联负反馈的前置放大器能提供高达2.6×1011Ω的输入阻抗,有助于非接触式干电极进行信号的采集。
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关键词
脑电图
非接触式干电极
高
输入阻抗
放大器
传感器
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职称材料
凌力尔特精准运算放大器满足高阻抗输入设计
4
《电子产品世界》
2013年第3期75-76,共2页
凌力尔特推出精准运算放大器LTC6090,其为具备高阻抗输入的设计以及对泄漏电流敏感的应用而优化。该器件以高达140V(或±70V)的电源电压工作。
关键词
运算
放大器
输入
设计
高
阻抗
泄漏电流
电源电压
器件
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职称材料
一种高性能CMOS二级运算放大器的设计
5
作者
邓鸿添
蔡佳奎
+1 位作者
徐铫峰
金豫浙
《中国集成电路》
2024年第7期50-56,共7页
基于0.18μm标准CMOS工艺设计了一款高性能的二级运算放大器,输入级采用pmos差分对输入的折叠式共源共栅结构,输出级采用共源级结构,两者级联实现双端输入单端输出;整个电路由带隙基准源提供稳定的偏置。在1.8V工作电压和0.9V共模电压...
基于0.18μm标准CMOS工艺设计了一款高性能的二级运算放大器,输入级采用pmos差分对输入的折叠式共源共栅结构,输出级采用共源级结构,两者级联实现双端输入单端输出;整个电路由带隙基准源提供稳定的偏置。在1.8V工作电压和0.9V共模电压下进行仿真,该运放静态功耗为1.37mW,开环直流增益为117.36dB,相位裕度为77.73°,单位增益带宽100.4MHz(负载电容2pF),压摆率为51.24V/μs,共模抑制比为109.41dB,负电源抑制比为123.58dB,版图面积为180μm×253.5μm。仿真结果表明本文设计的电路结构稳定,性能优越。
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关键词
折叠式共源共栅
带隙基准
高
增益
运算
放大器
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职称材料
一款高性能JFET输入运算放大器
被引量:
9
6
作者
张明敏
王成鹤
+2 位作者
杨阳
吴昊
何峥嵘
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期115-119,135,共6页
基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺设计了一种高性能运算放大器。电路设计采用了JFET作为运算放大器的输入级,实现了高输入阻抗和宽带宽,采用BJT实现了高的转换速率和高的可靠性。基于运算放大器工作原理的分...
基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺设计了一种高性能运算放大器。电路设计采用了JFET作为运算放大器的输入级,实现了高输入阻抗和宽带宽,采用BJT实现了高的转换速率和高的可靠性。基于运算放大器工作原理的分析,对运算放大器的特性参数进行了仿真和优化,采用Bi-JFET工艺进行了工艺流片。测试结果表明,运算放大器在±15 V电源电压下输入失调电压为0.57 mV,输入偏置电流为0.021 nA,输入失调电流为0.003 nA,单位增益带宽为4.8 MHz,静态功耗为48 m W。运算放大器芯片版图尺寸为1.2 mm×1.0 mm。
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关键词
结型场效应晶体管(JFET)
双极型晶体管(BJT)
运算
放大器
兼容工艺
高
输入阻抗
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职称材料
一种恒跨导高增益轨到轨运算放大器
被引量:
7
7
作者
唐俊龙
黄思齐
+5 位作者
罗磊
涂士琦
肖仕勋
龚磊
刘远治
谢海情
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期458-462,共5页
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器。输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入级恒跨导。中间级采用折叠式共源共栅放大器结构,运...
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器。输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入级恒跨导。中间级采用折叠式共源共栅放大器结构,运算放大器能获得高增益。输出级采用前馈型AB类推挽放大器,实现轨到轨全摆幅输出。利用密勒补偿技术进行频率补偿,运算放大器工作稳定。仿真结果表明,在1.8V电源电压下,该运算放大器的直流开环增益为129.3dB,单位增益带宽为7.22MHz,相位裕度为60.1°,整个轨到轨共模输入范围内跨导的变化率为1.44%。
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关键词
恒跨导
高
增益
轨到轨
运算
放大器
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职称材料
全差分低电压、高驱动能力运算放大器的实现
被引量:
4
8
作者
江金光
王耀南
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2006年第3期43-46,共4页
该文提出了一种全差分低电压、高驱动能力运算放大器电路,通过分析具有不同有源负载结构的差分放大器,得到具有反折电流镜有源负载的差分输入级电路具有较宽的共模输入范围。高效率的甲乙类输出级能提供轨对轨输出摆幅和高输出电流,由...
该文提出了一种全差分低电压、高驱动能力运算放大器电路,通过分析具有不同有源负载结构的差分放大器,得到具有反折电流镜有源负载的差分输入级电路具有较宽的共模输入范围。高效率的甲乙类输出级能提供轨对轨输出摆幅和高输出电流,由于电路具有特定拓扑结构的输出级,因而运算放大器能够工作在低电源电压状态下。采用台积电(TSMC)2层多晶硅、4层金属(2P4M)3·3V,0·35μmCMOS工艺流片得到所设计的全差分低电压、高驱动能力运算放大器在3·3V电源电压工作条件下的功耗仅为625μW,电流输出幅度达到1·2mA。
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关键词
全差分
共模
输入
范围
高
驱动能力
电流镜有源负载
运算
放大器
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职称材料
高速运算放大器低失调输入级的设计
被引量:
2
9
作者
石宁
李逸玚
+1 位作者
沈坚
任罗伟
《电子与封装》
2023年第5期34-39,共6页
差分对结构是运算放大器(运放)的基础结构,对电路性能至关重要。现实中,工艺偏差无法避免,其带来的失配会影响运放的精度。对多级运放而言,输入级的失调程度决定了整个放大器的精度,因此低失调输入级成为运放设计的重点之一。为获得低...
差分对结构是运算放大器(运放)的基础结构,对电路性能至关重要。现实中,工艺偏差无法避免,其带来的失配会影响运放的精度。对多级运放而言,输入级的失调程度决定了整个放大器的精度,因此低失调输入级成为运放设计的重点之一。为获得低失调的运放输入级,研究了差分对电阻RC和电路失配的关系,通过修调失配电阻ΔRC补偿其余失配项带来的影响。使用西岳4μm 50 V的工艺做全芯片参数验证,结果表明,失调电压低于60μV,相较于通用运放减小了76%;温漂系数可达0.3μV/℃,相较于通用运放减小了50%。这种方法简单、方便,可避免对电路结构做大规模调整,且对电路功耗的影响可以忽略。
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关键词
模拟集成电路
双极型
运算
放大器
差分
放大器
高
精度
低失调
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职称材料
低电压高精度低噪声运算放大器AD8656/AD8655及其应用
被引量:
2
10
作者
鹿麟
林凌
李刚
《电子元器件应用》
2008年第1期4-6,共3页
AD8656/AD8655是美国模拟器件公司推出的低噪声精密CMOS运算放大器。该器件采用+2.7~+5.5V低电压供电,很适合应用在便携式仪器仪表、音频、通信和医学系统设计中。文中主要介绍了AD8656/AD8655的主要特点及其应用设计方法。
关键词
低噪声
高
精度
低电压供电
CMOS
运算
放大器
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职称材料
一种用于高精度电容传感器电路的三级运算放大器
被引量:
2
11
作者
任臣
杨拥军
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第4期325-331,共7页
为提高电容式传感器专用集成电路(ASIC)的检测精度,设计了一种三级运算放大器电路。该放大器电路为全差分实现形式,采用三级共源放大器级联结构,使用密勒补偿并调整零点抵消高频极点,以保证放大器的稳定性。该放大器电路基于0.18μm标准...
为提高电容式传感器专用集成电路(ASIC)的检测精度,设计了一种三级运算放大器电路。该放大器电路为全差分实现形式,采用三级共源放大器级联结构,使用密勒补偿并调整零点抵消高频极点,以保证放大器的稳定性。该放大器电路基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现,工作电压为1.8 V,工作电流为80μA。电路仿真结果显示:三级运算放大器的直流增益为118 dB,单位增益频率为73 MHz,噪声水平为0.21μV/√Hz。芯片测试结果表明,采用该放大器的电容传感器电路前端的非线性优于6×10^(-5)。该放大器功耗低、面积小、可靠性好,在工程上实现了较优的综合性能。
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关键词
专用集成电路(ASIC)
微电子机械系统(MEMS)
三级
运算
放大器
密勒补偿
高
精度电容传感器
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职称材料
低噪声、高电压皮安级输入精密运算放大器
12
《电子设计工程》
2009年第9期127-127,共1页
Intersil公司推出首款采用该公司新的专利双极工艺技术的运算放大器ISL28207。 Intersil的ISL28207是双40V低功耗双极精密运算放大器,具有出色的直流精度和极好的温漂性能。
关键词
运算
放大器
Intersil公司
低噪声
高
电压
输入
双极工艺
低功耗
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职称材料
高阻抗低漂移运算放大器在微电流测量中的应用
13
作者
王焕民
李世芬
《济南大学学报(社会科学版)》
1994年第1期91-95,共5页
本文主要概述了高阻抗低漂移运算放大器在5×10^(-15)A微电流测量中的应用,并对测量电路的测试原理、测量电路的相对误差、及测量电路的极限灵敏度等重要问题进行了较为详细地论述和分析.这种测量电路具有体积小、稳定时间短、低漂...
本文主要概述了高阻抗低漂移运算放大器在5×10^(-15)A微电流测量中的应用,并对测量电路的测试原理、测量电路的相对误差、及测量电路的极限灵敏度等重要问题进行了较为详细地论述和分析.这种测量电路具有体积小、稳定时间短、低漂移、高精度等优点,所以有着广泛的应用.
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关键词
高
阻抗
低漂移
运算
放大器
电流—电压转换电路
极限灵敏度
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职称材料
一种高增益CMOS全差分运算放大器的设计
被引量:
2
14
作者
李杨先
顾晓峰
浦寿杰
《微计算机信息》
2009年第29期207-209,共3页
设计了一种用在高精度音频Σ-ΔA/D转换器中的高增益CMOS全差分运算放大器。该运算放大器采用了套筒式共源共栅结构和开关电容共模反馈电路。通过分析和优化电路性能参数,实现了高增益和低功耗。采用SMIC0.35μmCMOS工艺,经Spectre仿真...
设计了一种用在高精度音频Σ-ΔA/D转换器中的高增益CMOS全差分运算放大器。该运算放大器采用了套筒式共源共栅结构和开关电容共模反馈电路。通过分析和优化电路性能参数,实现了高增益和低功耗。采用SMIC0.35μmCMOS工艺,经Spectre仿真验证,电路在3.3V电源电压和2.6pF负载电容条件下,单位增益带宽为110MHz,开环直流电压增益达76dB,功耗为1.4mW。
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关键词
运算
放大器
套筒式共源共栅
高
增益
A/D转换器
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职称材料
一种高增益低功耗CMOS运算跨导放大器的设计
被引量:
2
15
作者
刘睿强
景新幸
张祥祯
《电子设计应用》
2007年第2期57-59,10,共3页
本文采用套筒式级联增益自举电路,设计了一种用于高速、高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,达到了高增益、低功耗的设计目标。在3.3V电源电压下,基于TSMC0.35μm CMOS工艺模型,本设计驱动1pF负载时,相位裕度为65°,单位增益带宽为3...
本文采用套筒式级联增益自举电路,设计了一种用于高速、高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,达到了高增益、低功耗的设计目标。在3.3V电源电压下,基于TSMC0.35μm CMOS工艺模型,本设计驱动1pF负载时,相位裕度为65°,单位增益带宽为320MHz,功耗5.7mW,压摆率为200V/μs。
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关键词
CMOS
运算
放大器
套筒式共源共栅电路
高
增益
模型参数提取
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职称材料
新日本无线公司单J-FET输入高精度运算放大器
16
《电子设计应用》
2006年第6期60-60,共1页
新日本无线公司推出了单J-FET输入高精度运算放大器NJM411。它采用J-FET(结型场效应晶体管)作为输入元件,实现了高输入阻抗,偏压电流典型值为50pA,压摆率为15V/μs的高性能,同时还具有0.8mV低偏移电压和7μV/℃低温度漂移的特...
新日本无线公司推出了单J-FET输入高精度运算放大器NJM411。它采用J-FET(结型场效应晶体管)作为输入元件,实现了高输入阻抗,偏压电流典型值为50pA,压摆率为15V/μs的高性能,同时还具有0.8mV低偏移电压和7μV/℃低温度漂移的特点,可对初始偏移电压进行小幅调节。可广泛应用于高速DAC输出缓冲器、取样保持电路、感应放大器、高精度参考电压放大器等各种测量设备及工业应用的信号处理。www.njr.co.
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关键词
运算
放大器
J-FET
高
精度
公司
无线
日本
结型场效应晶体管
偏移电压
工业应用
高
输入阻抗
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职称材料
一款低电压高精度CMOS运算放大器设计
被引量:
3
17
作者
徐静萍
《西安邮电学院学报》
2008年第1期72-74,共3页
设计了一种采用0.6um CMOS工艺的低电压高精度的运算放大器电路。在设计中输入级采用两对跨导器件rail-to-rail的电路结构,从而实现输入级的跨导在整个共模输入范围内保持恒定。输出级采用AB类rail-to-rail推挽结构,达到高驱动能力和低...
设计了一种采用0.6um CMOS工艺的低电压高精度的运算放大器电路。在设计中输入级采用两对跨导器件rail-to-rail的电路结构,从而实现输入级的跨导在整个共模输入范围内保持恒定。输出级采用AB类rail-to-rail推挽结构,达到高驱动能力和低谐波失真的目的。此运放可提供1.5V电压降,采用适当的输出负载,闭环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了80dB,832kHz和64°。
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关键词
CMOS
低电压
高
精度
运算
放大器
Rail—to—Rail
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职称材料
一种高增益高驱动能力的运算放大器
被引量:
1
18
作者
周泽坤
汪尧
邵红
《中国集成电路》
2018年第1期45-49,共5页
运算放大器作为模拟集成电路和数模混合集成电路中的核心模块之一,其性能决定着整个电子系统的品质。本文提出了一种新颖的高增益高驱动能力运算放大器结构,其第一级采用共源共栅结构提高增益,第二级采用提出的跨导增强型推挽输出级,在...
运算放大器作为模拟集成电路和数模混合集成电路中的核心模块之一,其性能决定着整个电子系统的品质。本文提出了一种新颖的高增益高驱动能力运算放大器结构,其第一级采用共源共栅结构提高增益,第二级采用提出的跨导增强型推挽输出级,在保留高增益的同时,实现高驱动的性能。此外,基于本文提出的跨导增强型推挽输出级结构,可进一步分裂密勒补偿结构产生的极点,从而在使用较小密勒电容的情况下提升运算放大器稳定性。基于0.35μm BCD工艺对提出的运算放大器进行验证,结果表明在静态电流为84uA时,该放大器在3V^5V的供电电压下,低频增益为95dB,-3dB带宽在100Hz,单位增益带宽在14.4MHz附近,输出抽灌电流可分别达到15.6mA和2.4mA。
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关键词
高
增益
高
驱动能力
运算
放大器
密勒补偿
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职称材料
极低输入电压噪声高精度运算放大器
19
《今日电子》
2007年第10期107-107,共1页
单组装的LMP7731及双组装的LMP7732低电压高精度放大器都具有低噪声、低偏移电压和轨到轨输入/输出(RRIO)的特性。这两款运算放大器均内置双极输入级及输入偏压消除电路,因此输入电流可降低至1.5nA。此外,它们都可在1.8~5.5V...
单组装的LMP7731及双组装的LMP7732低电压高精度放大器都具有低噪声、低偏移电压和轨到轨输入/输出(RRIO)的特性。这两款运算放大器均内置双极输入级及输入偏压消除电路,因此输入电流可降低至1.5nA。此外,它们都可在1.8~5.5V的供电电压范围内操作,而且直流电偏移电压只有40μV,增益带宽则高达22MHz,耗电量仅为2mA。
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关键词
高
精度
放大器
输入
/输出
运算
放大器
电压噪声
偏移电压
消除电路
输入
电流
电压范围
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职称材料
双路高阻抗电化学测试前置放大器
20
作者
谭超
李将渊
《西昌师范高等专科学校学报》
2003年第1期97-100,共4页
介绍了一种双路高阻抗电化学测试前置放大器的电路设计原理、元件选择、安装调试及其应用。它具有结构简单、输入阻抗高、放大倍数可调和零漂极小等优良性能,能广泛用于电化学测试输入前置级。
关键词
电化学测试
前置
放大器
运算
放大器
高
阻抗
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职称材料
题名
一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器
被引量:
5
1
作者
于晓权
范国亮
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第6期784-788,共5页
文摘
针对CMOS运算放大器存在的输入失调电压高、噪声性能差等问题,提出了一种基于双极结型场效应晶体管(BiFET)工艺的高输入阻抗运算放大器。采用P沟道JFET差分对作为输入级,实现了pA量级的极低输入偏置电流/失调电流和nV/√Hz量级的极低输入噪声电压谱密度。采用双极晶体管构成的共集-共射增益级和互补推挽输出级,实现了100 dB的开环增益、10 V/μs的输出电压转换速率和10 MHz的带宽。该运算放大器适用于对微弱模拟信号的采集和放大。
关键词
运算
放大器
BiFET工艺
高
输入阻抗
输入
偏置电流/失调电流
输入
电压噪声谱密度
Keywords
operational amplifier
BiFET process
high input impedance
input bias current/offset current
input noise voltage spectral density
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种低偏置电流、高输入阻抗运算放大器电路设计
被引量:
3
2
作者
代松
唐毓尚
包磊
袁兴林
陈旺云
机构
贵州振华风光半导体有限公司
出处
《中国集成电路》
2021年第10期46-50,共5页
文摘
基于双极工艺设计了一种低偏置电流、高输入阻抗运算放大器。采用超β管作为输入对管,同时引入新型基极电流补偿电路,使运算放大器具有低偏置电流、高输入阻抗特性。该电路基于40V双极工艺进行设计,仿真结果显示,常温下偏置电流为11pA,输入阻抗为1.88×10^(9)Ω,增益达到137dB,带宽达到1.3MHz。
关键词
运算
放大器
双极工艺
偏置电流
输入阻抗
Keywords
Operational amplifier
Bipolar process
Input bias current
Input impedance
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于高输入阻抗放大器的EEG传感器设计
被引量:
3
3
作者
张伟林
机构
浙江大学超大规模电路设计研究所
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2014年第11期82-85,共4页
文摘
脑电(头皮脑电)图(EEG)是医疗上重要的诊断信息,目前非接触式干电极在采集EEG信号时具有使用简单、不易受环境约束的优点,具有着广阔的应用前景,已经成为全世界的热门研究课题。由于人体皮肤具有很高的阻抗,故要求非接触式干电极具有高输入阻抗。为了提高输入阻抗,采用深度电压串联负反馈来实现超高输入阻抗放大电路,并给出电路的设计和分析。深度电压串联负反馈的前置放大器能提供高达2.6×1011Ω的输入阻抗,有助于非接触式干电极进行信号的采集。
关键词
脑电图
非接触式干电极
高
输入阻抗
放大器
传感器
Keywords
electroencephalogram(EEG)
non-contact dry electrode
high input impedance amplifier
sensor
分类号
TP212.3 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
凌力尔特精准运算放大器满足高阻抗输入设计
4
出处
《电子产品世界》
2013年第3期75-76,共2页
文摘
凌力尔特推出精准运算放大器LTC6090,其为具备高阻抗输入的设计以及对泄漏电流敏感的应用而优化。该器件以高达140V(或±70V)的电源电压工作。
关键词
运算
放大器
输入
设计
高
阻抗
泄漏电流
电源电压
器件
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种高性能CMOS二级运算放大器的设计
5
作者
邓鸿添
蔡佳奎
徐铫峰
金豫浙
机构
扬州大学广陵学院机械电子工程系
出处
《中国集成电路》
2024年第7期50-56,共7页
基金
江苏省高等学校大学生创新创业训练计划(202313987014Y)
扬州大学广陵学院自然科学研究项目(ZKZD23001)。
文摘
基于0.18μm标准CMOS工艺设计了一款高性能的二级运算放大器,输入级采用pmos差分对输入的折叠式共源共栅结构,输出级采用共源级结构,两者级联实现双端输入单端输出;整个电路由带隙基准源提供稳定的偏置。在1.8V工作电压和0.9V共模电压下进行仿真,该运放静态功耗为1.37mW,开环直流增益为117.36dB,相位裕度为77.73°,单位增益带宽100.4MHz(负载电容2pF),压摆率为51.24V/μs,共模抑制比为109.41dB,负电源抑制比为123.58dB,版图面积为180μm×253.5μm。仿真结果表明本文设计的电路结构稳定,性能优越。
关键词
折叠式共源共栅
带隙基准
高
增益
运算
放大器
Keywords
folded-cascode
bandgap
high gain
operational amplifier
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一款高性能JFET输入运算放大器
被引量:
9
6
作者
张明敏
王成鹤
杨阳
吴昊
何峥嵘
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期115-119,135,共6页
文摘
基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺设计了一种高性能运算放大器。电路设计采用了JFET作为运算放大器的输入级,实现了高输入阻抗和宽带宽,采用BJT实现了高的转换速率和高的可靠性。基于运算放大器工作原理的分析,对运算放大器的特性参数进行了仿真和优化,采用Bi-JFET工艺进行了工艺流片。测试结果表明,运算放大器在±15 V电源电压下输入失调电压为0.57 mV,输入偏置电流为0.021 nA,输入失调电流为0.003 nA,单位增益带宽为4.8 MHz,静态功耗为48 m W。运算放大器芯片版图尺寸为1.2 mm×1.0 mm。
关键词
结型场效应晶体管(JFET)
双极型晶体管(BJT)
运算
放大器
兼容工艺
高
输入阻抗
Keywords
junction field effect transistor (JFET)
bipolar junction transistor (BJT)
operational amplifier
compatible process
high input impedance
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种恒跨导高增益轨到轨运算放大器
被引量:
7
7
作者
唐俊龙
黄思齐
罗磊
涂士琦
肖仕勋
龚磊
刘远治
谢海情
机构
长沙理工大学物理与电子科学学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期458-462,共5页
基金
国家科技支撑计划资助项目(2014BAH28F04)
国家自然科学基金资助项目(61404011)
+1 种基金
湖南省自然科学基金资助项目(2015JJ3001)
湖南省教育厅科研资助项目(17K004)
文摘
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器。输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入级恒跨导。中间级采用折叠式共源共栅放大器结构,运算放大器能获得高增益。输出级采用前馈型AB类推挽放大器,实现轨到轨全摆幅输出。利用密勒补偿技术进行频率补偿,运算放大器工作稳定。仿真结果表明,在1.8V电源电压下,该运算放大器的直流开环增益为129.3dB,单位增益带宽为7.22MHz,相位裕度为60.1°,整个轨到轨共模输入范围内跨导的变化率为1.44%。
关键词
恒跨导
高
增益
轨到轨
运算
放大器
Keywords
constant-gm
high gain
rail-to-rail
operational amplifier
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
全差分低电压、高驱动能力运算放大器的实现
被引量:
4
8
作者
江金光
王耀南
机构
湖南大学电气与信息工程学院
出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2006年第3期43-46,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(编号:60375001)
中国博士后科学基金资助项目
高校博士点基金资助项目
文摘
该文提出了一种全差分低电压、高驱动能力运算放大器电路,通过分析具有不同有源负载结构的差分放大器,得到具有反折电流镜有源负载的差分输入级电路具有较宽的共模输入范围。高效率的甲乙类输出级能提供轨对轨输出摆幅和高输出电流,由于电路具有特定拓扑结构的输出级,因而运算放大器能够工作在低电源电压状态下。采用台积电(TSMC)2层多晶硅、4层金属(2P4M)3·3V,0·35μmCMOS工艺流片得到所设计的全差分低电压、高驱动能力运算放大器在3·3V电源电压工作条件下的功耗仅为625μW,电流输出幅度达到1·2mA。
关键词
全差分
共模
输入
范围
高
驱动能力
电流镜有源负载
运算
放大器
Keywords
fully differential, common-mode input range, high drive capability, current mirror active load, operational amplifier.
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
TP332.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
高速运算放大器低失调输入级的设计
被引量:
2
9
作者
石宁
李逸玚
沈坚
任罗伟
机构
无锡中微爱芯电子有限公司
出处
《电子与封装》
2023年第5期34-39,共6页
文摘
差分对结构是运算放大器(运放)的基础结构,对电路性能至关重要。现实中,工艺偏差无法避免,其带来的失配会影响运放的精度。对多级运放而言,输入级的失调程度决定了整个放大器的精度,因此低失调输入级成为运放设计的重点之一。为获得低失调的运放输入级,研究了差分对电阻RC和电路失配的关系,通过修调失配电阻ΔRC补偿其余失配项带来的影响。使用西岳4μm 50 V的工艺做全芯片参数验证,结果表明,失调电压低于60μV,相较于通用运放减小了76%;温漂系数可达0.3μV/℃,相较于通用运放减小了50%。这种方法简单、方便,可避免对电路结构做大规模调整,且对电路功耗的影响可以忽略。
关键词
模拟集成电路
双极型
运算
放大器
差分
放大器
高
精度
低失调
Keywords
analog integrated circuit
bipolar operational amplifiers
differential amplifier
high precision
low offset
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
低电压高精度低噪声运算放大器AD8656/AD8655及其应用
被引量:
2
10
作者
鹿麟
林凌
李刚
机构
天津大学-ADI联合实验室
出处
《电子元器件应用》
2008年第1期4-6,共3页
文摘
AD8656/AD8655是美国模拟器件公司推出的低噪声精密CMOS运算放大器。该器件采用+2.7~+5.5V低电压供电,很适合应用在便携式仪器仪表、音频、通信和医学系统设计中。文中主要介绍了AD8656/AD8655的主要特点及其应用设计方法。
关键词
低噪声
高
精度
低电压供电
CMOS
运算
放大器
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种用于高精度电容传感器电路的三级运算放大器
被引量:
2
11
作者
任臣
杨拥军
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第4期325-331,共7页
文摘
为提高电容式传感器专用集成电路(ASIC)的检测精度,设计了一种三级运算放大器电路。该放大器电路为全差分实现形式,采用三级共源放大器级联结构,使用密勒补偿并调整零点抵消高频极点,以保证放大器的稳定性。该放大器电路基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现,工作电压为1.8 V,工作电流为80μA。电路仿真结果显示:三级运算放大器的直流增益为118 dB,单位增益频率为73 MHz,噪声水平为0.21μV/√Hz。芯片测试结果表明,采用该放大器的电容传感器电路前端的非线性优于6×10^(-5)。该放大器功耗低、面积小、可靠性好,在工程上实现了较优的综合性能。
关键词
专用集成电路(ASIC)
微电子机械系统(MEMS)
三级
运算
放大器
密勒补偿
高
精度电容传感器
Keywords
application specific integrated circuit(ASIC)
micro-electromechanical system(MEMS)
three-stage operational amplifier
Miller compensation
high precision capacitance sensor
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
低噪声、高电压皮安级输入精密运算放大器
12
出处
《电子设计工程》
2009年第9期127-127,共1页
文摘
Intersil公司推出首款采用该公司新的专利双极工艺技术的运算放大器ISL28207。 Intersil的ISL28207是双40V低功耗双极精密运算放大器,具有出色的直流精度和极好的温漂性能。
关键词
运算
放大器
Intersil公司
低噪声
高
电压
输入
双极工艺
低功耗
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
TP333.4 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
高阻抗低漂移运算放大器在微电流测量中的应用
13
作者
王焕民
李世芬
机构
济南市职工大学
出处
《济南大学学报(社会科学版)》
1994年第1期91-95,共5页
文摘
本文主要概述了高阻抗低漂移运算放大器在5×10^(-15)A微电流测量中的应用,并对测量电路的测试原理、测量电路的相对误差、及测量电路的极限灵敏度等重要问题进行了较为详细地论述和分析.这种测量电路具有体积小、稳定时间短、低漂移、高精度等优点,所以有着广泛的应用.
关键词
高
阻抗
低漂移
运算
放大器
电流—电压转换电路
极限灵敏度
分类号
TM933.1 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
一种高增益CMOS全差分运算放大器的设计
被引量:
2
14
作者
李杨先
顾晓峰
浦寿杰
机构
江南大学信息工程学院
出处
《微计算机信息》
2009年第29期207-209,共3页
文摘
设计了一种用在高精度音频Σ-ΔA/D转换器中的高增益CMOS全差分运算放大器。该运算放大器采用了套筒式共源共栅结构和开关电容共模反馈电路。通过分析和优化电路性能参数,实现了高增益和低功耗。采用SMIC0.35μmCMOS工艺,经Spectre仿真验证,电路在3.3V电源电压和2.6pF负载电容条件下,单位增益带宽为110MHz,开环直流电压增益达76dB,功耗为1.4mW。
关键词
运算
放大器
套筒式共源共栅
高
增益
A/D转换器
Keywords
Operational amplifier
Telescopic cascade
High-gain
A/D converter
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种高增益低功耗CMOS运算跨导放大器的设计
被引量:
2
15
作者
刘睿强
景新幸
张祥祯
机构
桂林电子科技大学信息与通信学院ASIC研究室
出处
《电子设计应用》
2007年第2期57-59,10,共3页
文摘
本文采用套筒式级联增益自举电路,设计了一种用于高速、高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,达到了高增益、低功耗的设计目标。在3.3V电源电压下,基于TSMC0.35μm CMOS工艺模型,本设计驱动1pF负载时,相位裕度为65°,单位增益带宽为320MHz,功耗5.7mW,压摆率为200V/μs。
关键词
CMOS
运算
放大器
套筒式共源共栅电路
高
增益
模型参数提取
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
新日本无线公司单J-FET输入高精度运算放大器
16
出处
《电子设计应用》
2006年第6期60-60,共1页
文摘
新日本无线公司推出了单J-FET输入高精度运算放大器NJM411。它采用J-FET(结型场效应晶体管)作为输入元件,实现了高输入阻抗,偏压电流典型值为50pA,压摆率为15V/μs的高性能,同时还具有0.8mV低偏移电压和7μV/℃低温度漂移的特点,可对初始偏移电压进行小幅调节。可广泛应用于高速DAC输出缓冲器、取样保持电路、感应放大器、高精度参考电压放大器等各种测量设备及工业应用的信号处理。www.njr.co.
关键词
运算
放大器
J-FET
高
精度
公司
无线
日本
结型场效应晶体管
偏移电压
工业应用
高
输入阻抗
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一款低电压高精度CMOS运算放大器设计
被引量:
3
17
作者
徐静萍
机构
西安邮电学院电子与信息工程系
出处
《西安邮电学院学报》
2008年第1期72-74,共3页
文摘
设计了一种采用0.6um CMOS工艺的低电压高精度的运算放大器电路。在设计中输入级采用两对跨导器件rail-to-rail的电路结构,从而实现输入级的跨导在整个共模输入范围内保持恒定。输出级采用AB类rail-to-rail推挽结构,达到高驱动能力和低谐波失真的目的。此运放可提供1.5V电压降,采用适当的输出负载,闭环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了80dB,832kHz和64°。
关键词
CMOS
低电压
高
精度
运算
放大器
Rail—to—Rail
Keywords
CMOS
low voltage high precision
operational amplifier(op - amp)
Rail - to - Rail
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种高增益高驱动能力的运算放大器
被引量:
1
18
作者
周泽坤
汪尧
邵红
机构
电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学
无锡上华华润科技有限公司
出处
《中国集成电路》
2018年第1期45-49,共5页
基金
国家自然科学基金No.61674025、No.61306035
中央高校基础研究基金No.ZYGX2016J 056
“气象信息与信号处理”省高校重点实验室基金No.QXXCSYS201504、No.QXXCSYS201603
文摘
运算放大器作为模拟集成电路和数模混合集成电路中的核心模块之一,其性能决定着整个电子系统的品质。本文提出了一种新颖的高增益高驱动能力运算放大器结构,其第一级采用共源共栅结构提高增益,第二级采用提出的跨导增强型推挽输出级,在保留高增益的同时,实现高驱动的性能。此外,基于本文提出的跨导增强型推挽输出级结构,可进一步分裂密勒补偿结构产生的极点,从而在使用较小密勒电容的情况下提升运算放大器稳定性。基于0.35μm BCD工艺对提出的运算放大器进行验证,结果表明在静态电流为84uA时,该放大器在3V^5V的供电电压下,低频增益为95dB,-3dB带宽在100Hz,单位增益带宽在14.4MHz附近,输出抽灌电流可分别达到15.6mA和2.4mA。
关键词
高
增益
高
驱动能力
运算
放大器
密勒补偿
Keywords
high gain
high drive capability
operational amplifier
Miller compensation
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
极低输入电压噪声高精度运算放大器
19
出处
《今日电子》
2007年第10期107-107,共1页
文摘
单组装的LMP7731及双组装的LMP7732低电压高精度放大器都具有低噪声、低偏移电压和轨到轨输入/输出(RRIO)的特性。这两款运算放大器均内置双极输入级及输入偏压消除电路,因此输入电流可降低至1.5nA。此外,它们都可在1.8~5.5V的供电电压范围内操作,而且直流电偏移电压只有40μV,增益带宽则高达22MHz,耗电量仅为2mA。
关键词
高
精度
放大器
输入
/输出
运算
放大器
电压噪声
偏移电压
消除电路
输入
电流
电压范围
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
双路高阻抗电化学测试前置放大器
20
作者
谭超
李将渊
机构
宜宾学院化学系
四川师范学院化学系
四川师范学院化学系
出处
《西昌师范高等专科学校学报》
2003年第1期97-100,共4页
文摘
介绍了一种双路高阻抗电化学测试前置放大器的电路设计原理、元件选择、安装调试及其应用。它具有结构简单、输入阻抗高、放大倍数可调和零漂极小等优良性能,能广泛用于电化学测试输入前置级。
关键词
电化学测试
前置
放大器
运算
放大器
高
阻抗
Keywords
electrochemical test
prepositive amplifier
operational amplifier
high im-pedence
分类号
O6 [理学—化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于BiFET工艺的高输入阻抗运算放大器
于晓权
范国亮
《微电子学》
CAS
北大核心
2020
5
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职称材料
2
一种低偏置电流、高输入阻抗运算放大器电路设计
代松
唐毓尚
包磊
袁兴林
陈旺云
《中国集成电路》
2021
3
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职称材料
3
基于高输入阻抗放大器的EEG传感器设计
张伟林
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2014
3
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职称材料
4
凌力尔特精准运算放大器满足高阻抗输入设计
《电子产品世界》
2013
0
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职称材料
5
一种高性能CMOS二级运算放大器的设计
邓鸿添
蔡佳奎
徐铫峰
金豫浙
《中国集成电路》
2024
0
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职称材料
6
一款高性能JFET输入运算放大器
张明敏
王成鹤
杨阳
吴昊
何峥嵘
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
9
下载PDF
职称材料
7
一种恒跨导高增益轨到轨运算放大器
唐俊龙
黄思齐
罗磊
涂士琦
肖仕勋
龚磊
刘远治
谢海情
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018
7
下载PDF
职称材料
8
全差分低电压、高驱动能力运算放大器的实现
江金光
王耀南
《电子测量与仪器学报》
CSCD
2006
4
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职称材料
9
高速运算放大器低失调输入级的设计
石宁
李逸玚
沈坚
任罗伟
《电子与封装》
2023
2
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职称材料
10
低电压高精度低噪声运算放大器AD8656/AD8655及其应用
鹿麟
林凌
李刚
《电子元器件应用》
2008
2
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职称材料
11
一种用于高精度电容传感器电路的三级运算放大器
任臣
杨拥军
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
2
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职称材料
12
低噪声、高电压皮安级输入精密运算放大器
《电子设计工程》
2009
0
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职称材料
13
高阻抗低漂移运算放大器在微电流测量中的应用
王焕民
李世芬
《济南大学学报(社会科学版)》
1994
0
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职称材料
14
一种高增益CMOS全差分运算放大器的设计
李杨先
顾晓峰
浦寿杰
《微计算机信息》
2009
2
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职称材料
15
一种高增益低功耗CMOS运算跨导放大器的设计
刘睿强
景新幸
张祥祯
《电子设计应用》
2007
2
下载PDF
职称材料
16
新日本无线公司单J-FET输入高精度运算放大器
《电子设计应用》
2006
0
下载PDF
职称材料
17
一款低电压高精度CMOS运算放大器设计
徐静萍
《西安邮电学院学报》
2008
3
下载PDF
职称材料
18
一种高增益高驱动能力的运算放大器
周泽坤
汪尧
邵红
《中国集成电路》
2018
1
下载PDF
职称材料
19
极低输入电压噪声高精度运算放大器
《今日电子》
2007
0
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职称材料
20
双路高阻抗电化学测试前置放大器
谭超
李将渊
《西昌师范高等专科学校学报》
2003
0
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职称材料
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