一种低电磁干扰的高边驱动电路

提出了一种低电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)的高边驱动电路。针对传统设计中存在的振荡器工作过程中产生的高电压或电流尖峰引起严重EMI以及宽电压范围下MOSFET栅击穿等问题,提出了一种新的系统方案及电路结构,同时从傅氏级数及空间交变电磁场两个方面解释了抖频技术如何抑制EMI。基于Hynix 0.18μm BCD工艺进行设计与仿真,仿真结果表明,在5 MHz的振荡器频率下抖频后的各奇次谐波频带均被展宽,在三次谐波处降幅高达12.3 d B,大大改善了系统的电磁兼容性,同时电路可以在电源电压为4.5~37 V的范围内正常工作。该设计方案可以广泛用于高压集成电路设计领域。

一种应用于高边驱动芯片的负载开路检测电路设计

本文基于SOI工艺,设计优化了一种应用于高边驱动芯片的负载开路检测电路。针对传统检测方法消耗冗余电压降和检测误差大的问题,本电路使用双重判决模式加以解决;针对传统电路存在信号干扰引起的振荡及开关管开关损耗的问题,本电路使用滞回比较器加以解决,提高了负载开路检测的精度、有效性和可靠度。仿真结果表明,该电路可实现低阈值高精度电流检测,当设定的检测电流阈值为3mA时,电流检测精度高达98.5%;此外实现2V的抗干扰冗余电压,能够保证芯片正常运行。

车身电子高边驱动芯片的仿真与选型

简述意法半导体ST的高边驱动芯片的仿真与选型原理,阐明ST高边驱动芯片的仿真与应用,以及介绍经过负载模型的仿真后进行可靠性分析的原理。

一种输出低电平可调的高边电平移位驱动电路

为满足宽输入范围DC/DC芯片的需求,本文设计了一种可调输出低电平电压的高边电平移位驱动电路。该电路无需使用二极管和双极型器件,通过MOS管配置高边驱动信号的低电平电压,并将其应用于高压DC/DC转换器芯片。芯片采用0.35μm BCD工艺流片,实验结果表明DC/DC转换器芯片工作正常,验证了本文设计的高边电平移位驱动电路。

基于高边电流检测的大功率LED驱动芯片研究

研究了采用高边电流检测方案的大功率LED恒流驱动芯片。基于25V,1.5μm BCD工艺,运用Cadence的SpectreS工具对电路进行了仿真。结果表明,LED驱动电流为滞环变化的三角波,在8～23V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于4%。芯片的实测数据与仿真结果基本一致,实现了恒流驱动大功率LED的功能。

一种用于驱动高边功率开关的电荷泵电路

提出了一种新型的电荷泵电路设计,该设计利用电容电压不能突变的原理,设计了一种可以用来驱动高边功率开关管栅极电压的电荷泵结构。采用该结构后的高边功率管的栅极电压,可以在控制信号开启后很短的时间内,将栅极电压迅速抬升至电源电压以上,确保功率开关管可以正常导通。通过调整输入方波的频率,该结构的电压抬升时间可以根据不同的工艺水平和工作环境进行调整,本文也整理了不同的输入频率和抬升时间之间的关系。

一种高边电流检测电路研究

介绍了一种基于功能安全的电磁阀驱动电路。该驱动电路通过高边电流采样反馈控制驱动器的PWM输出,以实现对电磁阀驱动电流的精确控制。这种电流检测方式结构简单,不仅满足电磁阀故障检测、功能安全、防止过载等相关功能要求,且成本低廉。