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八路高速光电耦合器的研制
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作者 李应辉 张怡 蒋城 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期284-286,290,共4页
研制了一种独特的八路高速光电耦合器。器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中。设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰。文章重点描述... 研制了一种独特的八路高速光电耦合器。器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中。设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰。文章重点描述了器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺。 展开更多
关键词 高速光电耦合器 隔离特性 气密性封装 混合集成电路结构
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高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
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《今日电子》 2003年第9期77-77,共1页
关键词 高速门驱动光电耦合器 HCPL3180 MOSFET/IGBT 开关速度 传播时延
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安捷伦科技推出高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
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《电子质量》 2003年第9期U040-U040,共1页
关键词 安捷伦科技公司 MOSFET/IGBT 高速门驱动动光电耦合器 绝缘栅双极晶体管 HCPL-3180
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