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八路高速光电耦合器的研制
1
作者
李应辉
张怡
蒋城
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期284-286,290,共4页
研制了一种独特的八路高速光电耦合器。器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中。设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰。文章重点描述...
研制了一种独特的八路高速光电耦合器。器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中。设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰。文章重点描述了器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺。
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关键词
高速光电耦合器
隔离特性
气密性封装
混合集成电路结构
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职称材料
高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
2
《今日电子》
2003年第9期77-77,共1页
关键词
高速
门驱动
光电
耦合器
HCPL3180
MOSFET/IGBT
开关速度
传播时延
下载PDF
职称材料
安捷伦科技推出高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
3
《电子质量》
2003年第9期U040-U040,共1页
关键词
安捷伦科技公司
MOSFET/IGBT
高速
门驱动动
光电
耦合器
绝缘栅双极晶体管
HCPL-3180
下载PDF
职称材料
题名
八路高速光电耦合器的研制
1
作者
李应辉
张怡
蒋城
机构
电子科技大学光电信息学院
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期284-286,290,共4页
文摘
研制了一种独特的八路高速光电耦合器。器件采用混合集成电路方式,将24个芯片运用二次集成技术封装在20引线双列直插陶瓷管座中。设计中采用独立腔体分隔技术,将8个光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间的相互干扰。文章重点描述了器件的结构特性、工作原理、参数设计以及特性曲线分析,并简要概括了在研制过程中采用的一些技术方法和制作工艺。
关键词
高速光电耦合器
隔离特性
气密性封装
混合集成电路结构
Keywords
high speed optocoupler
insulating characteristic
hermetic seal
hybrid integrated circuit
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
2
出处
《今日电子》
2003年第9期77-77,共1页
关键词
高速
门驱动
光电
耦合器
HCPL3180
MOSFET/IGBT
开关速度
传播时延
分类号
TN622 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
安捷伦科技推出高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
3
出处
《电子质量》
2003年第9期U040-U040,共1页
关键词
安捷伦科技公司
MOSFET/IGBT
高速
门驱动动
光电
耦合器
绝缘栅双极晶体管
HCPL-3180
分类号
TN622 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
八路高速光电耦合器的研制
李应辉
张怡
蒋城
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
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职称材料
2
高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
《今日电子》
2003
0
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职称材料
3
安捷伦科技推出高速MOSFET/IGBT门驱动光电耦合器
《电子质量》
2003
0
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职称材料
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