氧化物墙隔离E、B、C的双极高速晶体管制造工艺

本文介绍了一种IC中使用的双极高速晶体管制造工艺，该工艺制造的晶体管的E、B、C均由氧化物墙隔离，消除了pn结的侧壁结，使双极晶体管的两个pn结基本上成为平面结，提高晶体管的fT。本文介绍了该工艺的工艺流程。分析了该工艺结构晶体管的特点，介绍了关键工艺步骤的工艺过程及工艺参数。并给出该工艺制造的晶体管的电参数及该工艺的应用前景。

加载功率与壳温对AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管器件热阻的影响

结温是制约器件性能和可靠性的关键因素,通常利用热阻计算器件的工作结温.然而,器件的热阻并不是固定值,它随器件的施加功率、温度环境等工作条件的改变而变化.针对该问题,本文以CREE公司生产的高速电子迁移率晶体管(HEMT)器件为研究对象,利用红外热像测温法与Sentaurus TCAD模拟法相结合,测量研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同加载功率以及管壳温度下热阻的变化规律.研究发现:当器件壳温由80°C升高至130°C时,其热阻由5.9°C/W变化为6.8°C/W,增大15%,其热阻与结温呈正反馈效应;当器件的加载功率从2.8 W增加至14 W时,其热阻从5.3°C/W变化为6.5°C/W,增大22%.对其热阻变化机理的研究发现:在不同的管壳温度以及不同的加载功率条件下,由于材料导热系数的变化导致其热阻随温度与加载功率的变化而变化.

正在研制的高速新型晶体管

目前,美国科学家正在对一种新型晶体管进行微调。这种晶体管的计算速度大约是现有技术的10倍。美国国立桑迪亚实验所的科学家们正在研制的这种晶体管,既可用于计算机和蜂窝电话,又可用于探测微量有毒物质的卫星和传感器。

对高速双极晶体管工艺条件的优化分析

随着科技的不断发展,对高速双极晶体管的研发与生产受到了更多的重视。本文基于深槽隔离与注入基区、为发射极扩散与Ti硅2经快速退火提出双层多晶硅双极技术。在选择性注入集电极与RTA工艺条件的影响进行分析,并提出相关的优化,结合实验结果,制造出质量更高的高速双极晶体管。

大型石墨烯晶体在美研发成功

美国德克萨斯州立大学奥斯丁分校的科研人员研发出一种大型石墨烯晶体（是4年前研发的最大晶体的10000倍），拥有卓越的电化学性能。这个厘米级的晶体是利用薄铜片和表面氧制成的。由于石墨烯具有很好的导电性和导热性，因此用途很广，如太阳能电池、高性能电池、机翼、柔性电子产品、高速晶体管等。

德颂T6立体声放大器

以无源前级和高增益后级构成的一体机。有赖于无源前级非常低的哚声指标，为确保音乐细节的再生提供了帮助。后级用到低噪声的高速晶体管和高品质Wima薄膜电容，使得乐器的质感和晶莹剔透的音色表现得以延续。此外，T6还首次加入了遥控功能，令操作变得简便。

InP晶体管开始突破速度限制

高速晶体管的开发旨在瞄准（工作频率达到）Tnz（10挖Hz）。2005年将加强这方面的研究开发，美国军方希望将这一工艺应用于多个领域，包括数字雷达中的模拟／数字转换器。

半导体制造技木发展迅猛

半导体制造技术的国际学会“2001International Electron Devices Meeting(IEDM)”12月3～5日在美国华盛顿举行。IEDM 的参加人数每年都在增加,2000年已经超过2000人,但今年由于受到恐怖事件影响,

一种基于半分析法的HEMT小信号参数的提取方法(英文)

提出了一种基于半分析法的高速电子迁移率半导体晶体管小信号模型的提取方法.此方法是用测试结构的方法来提取焊盘电容和寄生电感,半分析法来提取寄生电阻,提高了寄生电阻的提取精度.在频率高达40 GHz的范围内,多偏置情况下模拟的S参数和测试的S参数曲线吻合良好,证明这种方法是正确的.

新型窄脉冲半导体激光器驱动电源的研制

研制了一种新型窄脉冲半导体激光器的驱动电源,包括驱动电路和温控电路两部分。驱动电路采用高速金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作开关,为激光器提供一个重复频率高（0~50 kHz）、前沿快（2.2~4.9 ns）、脉宽窄（4.6~12.1 ns）、脉冲峰值电流大（0~72.2 A）的脉冲信号,且输出的激光脉冲波形平滑。对不同的激光器,改变电路中电源电压、电阻、电容参数,可获得不同的重复频率、前沿、脉冲宽度、脉冲峰值电流。温控电路采用高精度的比例积分微分（PID）温控,保证了激光器输出功率和中心波长的稳定。此激光器驱动电源不仅可作为一般高速、窄脉冲半导体激光器的驱动电源,也是大能量、窄脉宽的半导体激光器种子光源的理想驱动电源。

ESOTERIC（第一极品）G-02

ESOTERIC推出全新超高精度主时钟发生器G-02，装载OCXO高精密晶体振荡器，能输出22．5792MHz或10MHz时钟。G-02内部采用了独立时钟输出驱动电路，分立结构高速晶体管的新设计.

潮湿的计算

液控二氧化钒开关可能具有媲美大脑的工作效率。 斯图尔特·帕金（Stuart Parkin）对计算的未来有一个设想。主板、个人存储芯片、数十亿个高速晶体管都不存在了。代替它们的是一个奇怪的东西：一个受到大脑原理的启发而设计出来的盒子，它布满了由液体驱动的、会膨胀和收缩的电路，其时钟速度非常慢，相比之下，即使是40年前的微处理器看上去都1央极了。

有了这项技术，普通汽车可以直接改造为自主驾驶汽车

财富撰文，氮化镓晶体管在无人驾驶汽车中发挥至关重要的作用。未来的自动驾驶汽车将依赖于激光传感技术，而该技术的基础则在于新型非硅高速晶体管和芯片。上述观点来自斯坦福大学物理学博士、创业家艾利克斯·利多，他同时担任位于加州艾尔塞贡多的高效功率转换公司（Efficient Power Conversion，简称EPC）的CEO。EPC从事的业务是：采用比硅的运算速度更快、效率更高，但成本却较低的材料制造晶体管和芯片。

一种脉宽可调的窄脉冲激光器驱动电路设计

针对半导体激光器中纳秒级脉宽的驱动电路脉冲宽度范围小、无法调节的问题,提出一种脉宽可调的窄脉冲激光器驱动电路设计方案。根据现场可编程逻辑门阵列(FPGA)技术和半导体激光的工作原理,搭建了半导体激光驱动电路的一般模型,并进行了仿真与实验分析。以FPGA开发板为控制核心,使用高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动芯片DE375作为开关,实现驱动电源及半导体激光器的精密控制。该电路输出的脉冲电流幅值可达40 A,脉冲宽度为5~200 ns,重复频率为0~50 kHz,上升沿宽度小于5 ns,有效增强了半导体激光器驱动电路的功能。