亚微米尺度高速电光调制器的研究进展

基于SOI(silicon on insulator)材料的亚微米尺度电光调制器成为了研究Si光电子学的重点。评述了亚微米尺度下SOI脊型光波导实现单模条件、偏振无关、低耦合损耗的技术要求,分析并比较了几种基于不同光学结构和电学结构的电光调制器的原理和特性,讨论了达到高速电光调制的方式。

基于长周期光栅的有机聚合物高速电光调制器

TN761 2004064380 基于长周期光栅的有机聚合物高速电光调制器=A novel electro-optic polymer modulator based on long period fiber gratings[刊,中]/董小伟(北京交通大学光波技术研究所.北京(100044)),裴丽…∥光学技术.—2004,30(3).—289-291,295 结合长周期光栅的特性和有机聚合物的优点,首次提出了一种新型的基于长周期光栅的有机聚合物高速电光调制器结构。应用多层光波导理论。

高速聚合物电光调制器的进展

文中介绍了高速聚合物电光调制器的最新进展 ,包括电光调制器脊波导和微带线行波电极的设计、制作工艺及现在的最新产品和在军事领域中的应用。

40Gb/s微带线电极聚合物电光调制器

设计、制作和测试了用于1.31和1.55μm光波长的40Gb/s微带线行波电极的电光调制器。假设聚合物材料的电光系数γ33=30pm/V,设计的调制器性能参数分别是半波电压Vπ=4.92V和调制带宽42GHz。用有完全自主知识产权的二阶非线性光学聚合物材料BPAN-NT作为芯层材料制作了聚合物电光调制器。对调制器的各项特性参数进行了直流、低频和微波的测试,在1.31和1.55μm波长上测得低频(237 Hz)Vπ分别为32.1和40.5V,折算得芯层材料的电光系数γ33=3.856pm/V。测得消光比为20dB。在50MHz～40GHz频率范围内,测得电极系统实际的微波损耗系数α0=0.6dB.cm-1.GHz-1/2,用此值理论计算得出调制带宽为42.70GHz。在7.5～16.0GHz以及32～40GHz频率范围内用光谱仪测量器件的调制度M,并获得调制度的频率响应曲线。3dB调制带宽为30GHz。