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基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源
被引量:
1
1
作者
胡佳俊
陈后鹏
+4 位作者
王倩
李喜
雷宇
苗杰
宋志棠
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期26-31,共6页
基于相变单元电压操作的局限性,提出一种电流编程操作的方法。针对纳秒级快速相变的需求,设计了一款高速可编程的脉冲电流源,采用0.35μm标准CMOS工艺。结果显示:在10MHz编程速度的条件下,驱动脉冲电流能够良好地跟随控制信号的脉冲波形...
基于相变单元电压操作的局限性,提出一种电流编程操作的方法。针对纳秒级快速相变的需求,设计了一款高速可编程的脉冲电流源,采用0.35μm标准CMOS工艺。结果显示:在10MHz编程速度的条件下,驱动脉冲电流能够良好地跟随控制信号的脉冲波形;当编程信号频率从500kHz到10 MHz变化时,输出电流变化为4.5%;当编程电阻从200Ω到10kΩ变化时,输出电流精度误差不到3%,芯片面积为0.84mm2。在高速可编程脉冲电流源的测试平台上,对相变单元进行电流编程操作,结果显示,相变电阻能够可靠地进行晶态-非晶态的高速可逆相变。
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关键词
相变单元
Set操作
Reset操作
高速脉冲电流源
下载PDF
职称材料
题名
基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源
被引量:
1
1
作者
胡佳俊
陈后鹏
王倩
李喜
雷宇
苗杰
宋志棠
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期26-31,共6页
基金
中国科学院战略性先导科技专项资助项目(XDA09020402)
国家集成电路重大专项资助项目(2009ZX02023-003)
文摘
基于相变单元电压操作的局限性,提出一种电流编程操作的方法。针对纳秒级快速相变的需求,设计了一款高速可编程的脉冲电流源,采用0.35μm标准CMOS工艺。结果显示:在10MHz编程速度的条件下,驱动脉冲电流能够良好地跟随控制信号的脉冲波形;当编程信号频率从500kHz到10 MHz变化时,输出电流变化为4.5%;当编程电阻从200Ω到10kΩ变化时,输出电流精度误差不到3%,芯片面积为0.84mm2。在高速可编程脉冲电流源的测试平台上,对相变单元进行电流编程操作,结果显示,相变电阻能够可靠地进行晶态-非晶态的高速可逆相变。
关键词
相变单元
Set操作
Reset操作
高速脉冲电流源
Keywords
phase change memory unit
Set operation
Reset operation
high speed pulsed current source
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源
胡佳俊
陈后鹏
王倩
李喜
雷宇
苗杰
宋志棠
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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