一种25 Gbps硅基MZ电光调制器驱动电极的设计

为了满足高带宽、高密度的数据互联需求,本文基于IMEC的硅光子SOI工艺提出了一种紧凑型行波驱动电极的马赫-曾德(MZ)调制器结构.本文详细分析了设计高速行波电极需解决的问题,包括考虑阻抗匹配、微波损耗以及电光信号的速度匹配问题.设计实现了单通道MZ调制器电光调制3dB带宽17GHz,可支持25Gbps的传输速率.同时为了应用于多通道高密度的电光集成互联中,优化了电极结构,使得MZ调制器面积节省25%.

一种低损耗硅基MZ电光调制器的驱动电极设计

为了满足高数据带宽的硅光互联应用要求,高速硅光调制器的设计至关重要.本文基于IMEC的硅光子SOI工艺,提出了一种低损耗高带宽的行波MZ调制器的驱动电极.在详细分析了趋肤效应、行波损耗、邻近效应等物理效应对行波电极信号完整性的影响的基础上,通过在行波电极上增加一定宽度的顶层金属的方法,使MZ调制器的低频损耗降低了13%,高频损耗降低了5%,并使电光调制3 dB带宽提高至28 GHz.