针对服务器与DC／DC电源系统的4A高速MOSFET驱动器

8引脚电源栅极驱动器，每相位40A电流 TPS28225驱动器以4．5～8．8V电压控制MOSFET栅极；在7～8V电压范围内，器件效率达到最高；具有14ns自适应停滞时间控制，14ns传输延迟时间，2A大电流电源以及4A吸入电流。

美国微芯上市高速MOSFET驱动IC

美国微芯科技（Microchip Technology）近日上市了驱动470pF容量的负荷时，信号波形标准上升时间仅13ns的功率MOSFET栅极驱动IC“MCP1415／MCP1416”。驱动1000pF容量的负荷时标准上升时间为20ns。该产品面向开关电源、脉冲变压器以及线路驱动器等。

电磁驱动高速弹丸成型模式与影响因素

为了研究电磁驱动药型罩形成高速成型弹丸的可行性及弹丸成型特性,基于CQ-7脉冲功率装置,开展了电磁驱动线性药型罩形成弹丸技术实验。结合激光多普勒测速技术,实现了电磁驱动药型罩形成弹丸的速度测量和侵彻铝靶验证。同时,基于流体动力学软件和相应电磁仿真模块,建立了电磁驱动弹丸成型的物理模型和数值模拟方法,模拟了弹丸成型和侵彻铝靶的动力学过程,利用实验结果验证了数值模拟方法的可靠性。在此基础上,研究了等壁厚球缺型药型罩的结构参数以及加载能量对弹丸成型参数的影响规律。结果表明:外曲率半径对弹丸的头部速度影响较小,而头部速度会随壁厚的减小和加载能量的增大显著增加;弹丸的长径比随外曲率半径和壁厚的减小、加载能量的增大呈逐渐增加的趋势。最后,利用数值模拟方法预测并验证了利用电磁驱动技术获得高速度和大质量成型弹丸的可行性。

基于数据驱动的高速铁路动车组列车头尾车车轮踏面缺陷预测方法

[目的]踏面缺陷是高速铁路动车组列车车轮失效的主要表现形式之一,严重影响了动车组运行的安全性及乘客的乘坐舒适性。车轮踏面缺陷主要集中在头尾车,可能是多种因素共同作用的结果,需要寻找一种能综合多种影响因素的预测方法。[方法]基于某铁路局动车组列车的车轮镟修数据,每个数据样本包括10个特征(4个名义特征和6个连续特征),对数据进行预处理。通过合成少数类样本过采样技术对不平衡数据集进行处理,构建了标准化数据集。建立了DNN(深度神经网络)模型,对底层特征进行组合,形成了特征的高层抽象表示。通过网络结构调整和超参数优化得到了模型的最优学习效果。对模型进行训练并测试,验证了该模型的预测效果。[结果及结论]基于数据驱动的头尾车车轮踏面缺陷预测方法具有较高的预测精度和较优的综合性能,其预测精确率达92.5%,可有效预测头尾车车轮踏面损伤的发生概率。

基于Recurdyn的高速电驱动齿轮振动噪声仿真研究

为解决常规齿轮振动噪声仿真方法存在误差较大的问题,提出基于Recurdyn的高速电驱动齿轮振动噪声仿真研究。通过Recurdyn软件构建仿真模型,对不同类型的噪声信号进行包络叠加,采用马赫系数等方法划分噪声源分布区间,明确振动噪声分布情况,并获取噪声激励向量数据进行仿真计算。实验结果表明,该方法能够有效减小仿真误差,准确预测齿轮振动噪声声压级。

SiC MOSFET多管并联均流方案及IVCR1412驱动芯片应用

在大功率变换系统中,多管并联能提升电流承载能力,增加输出功率,常用于电机驱动、电动汽车、电力传输等场景。但多管并联均流是一大挑战,这影响了系统中器件的温度分布,进而影响系统可靠性,最终成为限制系统功率和效率的瓶颈。为了实现多管并联均流,瞻芯电子基于SiC MOSFET和SiC专用·比邻驱动TMIVCR1412芯片开展了均流研究,在不同均流驱动方案和不同条件下,测试影响均流的因子,以提供均流方案建议。

四轮驱动水稻高速插秧施肥机作业前的使用注意事项

介绍了四轮驱动水稻高速插秧施肥机作业前的检查、试车及对秧苗和水田素质要求,了解和掌握并能及时解决作业中所出现的各种故障,加快提高作业效率并降低劳动强度。

MOSFET隔离型高速驱动电路

结合以MOSFET为主要功率开关器件,应用于电弧超声焊接的高频脉冲激励系统的研发,在对MOSFET开通和关断过程进行分析的基础上,给出了MOSFET隔离型高速驱动电路所必需满足的条件。详细讨论了最大工作频率可达100 kHz、实现电气隔离、具有较强驱动能力和抗干扰能力的MOSFET驱动电路的设计与实现过程,实验结果证明了所设计驱动电路的可行性。所讨论的MOSFET驱动电路对于IGBT等其他电压控制型功率开关器件驱动电路的设计也有一定的借鉴意义。

功率MOSFET高速驱动电路的研究

基于特定情况下对驱动电路特殊的要求 ,介绍了一种输出电流大、带负载能力强的MOSFET高速驱动电路。对电路的工作特性进行了详细的讨论 ,并给出了不同频率下该电路的实验结果。

MOSFET升压驱动电路的设计

在分析了传统机械开关缺点的基础上提出用NMOSFET替代机械开关的技术和实现方法,设计了一款性价比极高的高压侧NMOSFET升压驱动电路,并用软件仿真的方式验证了该项技术以及所设计的升压驱动电路的可行性,最后通过制作PCB实物的方式进一步证明了该方案的正确性。通过使用该项新技术,可以减小产品的体积,大幅延长开关的使用寿命,提高能源的利用率,降低主开关的成本,拓展产品的使用场合。

高速电驱动履带车辆操纵特性分析

为了奠定高速电驱动履带车辆的操纵稳定性评价及控制的基础,进行了高速电驱动履带车辆开环操纵特性分析及高速电驱动履带车辆横摆运动响应试验,并在此基础上完成了基于人-车-路闭环系统的电驱动履带车辆操纵特性分析。研究结果表明:车速越高,横摆角速度稳定值越小;路面条件越好,车辆横摆角速度响应越快;当考虑电驱动车辆的动态响应特性后,保证闭环系统稳定的驾驶员预瞄时间需要增大,驾驶员最短反应滞后时间缩短;驱动电机响应速度越快,使系统稳定的最小预瞄时间越大。

电驱动高速精密播种技术的研究与发展

【目的】为我国电驱动高速精密播种技术的研究和应用提供启示和借鉴。【方法】针对排种器的不同驱动方式、排种器直流电机驱动的基本形式、排种盘转动速度和机具行进速度的测量、排种器驱动电机的控制策略四个方面进行了详尽分析,阐述了高速精密播种技术的应用现状、研究方向和发展趋势。【结果】随着高速精密播种技术的进步,传统的排种器驱动模式已经不能够满足现代播种作业的要求,严重影响株距均匀性,并且其误播率较高,大大制约了农作物产量和质量的提升。【结论】排种器直流电机驱动能够满足高速精密播种模式中精度高、可靠性强的作业目标,因此,作为传统的排种器驱动模式的替代方案,应当大力加强电驱动高速精密播种技术的研究,相关产品应当在农业生产中得到重点推广和应用。

知识与数据混合驱动的高速飞行控制方法综述

针对高速飞行器面临的控制问题,分析了知识与数据混合驱动的控制方法的研究必要性,对混合驱动方法的研究进展进行了综述。首先总结了飞行器发展产生的新技术特征,分别对高速飞行器控制中知识驱动方法和数据驱动方法进行了界定及分析,阐述了两类方法的局限性,引出了知识与数据混合驱动的思想;其次根据数据驱动方法在框架中的重要程度和两类方法的结合形式对近年混合驱动的控制方法进行了分类,将其分为基于数据修正的知识驱动控制框架、基于知识补偿的数据驱动控制框架以及知识与数据并联型控制框架,并对各控制框架的内涵和具体研究进行了详细总结;再者,讨论了当前混合驱动的控制方法在工程应用时的若干关键问题;最后从数据利用和拓扑结构设计等角度对混合驱动的控制方法进行了展望。

高速双MOSFET驱动器及在开关电源中应用

介绍高速双MOSFET驱动器MC34152集成电路的内部结构、工作特性、使用注意事项以及在零电压转换PWM开关变换器中的实际应用。

SiC MOSFET有源驱动电路关断轨迹优化方法

SiC MOSFET的快速开关过程带来开关振荡、电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)问题,多电平有源驱动电路通过调节开关过程中的驱动电压可以优化其关断轨迹.针对有源驱动电路中间电平选取及作用时间的优化选择问题,提出一种SiC MOSFET关断轨迹优化方法.基于对关断机理的分析和等效电流斜率思路,建立SiC MOSFET关断轨迹预测模型,并利用所提基于目标函数的关断轨迹优化方法,求解有源驱动中间电平的优化作用时间和电平值,使得SiC MOSFET工作在关断电压尖峰和关断损耗的优化折衷点.研究结果表明:通过建立SiC MOSFET关断轨迹预测模型并结合所提关断轨迹优化方法,可准确预测并改善SiC MOSFET的关断轨迹,且模型最大误差不超过10%,验证了模型的准确性以及在不同驱动电阻下的适用性.

用于车载激光雷达的高速窄脉冲栅极驱动器

针对车载激光雷达高频率、高精度的探测需求,提出了一种高速窄脉冲栅极驱动器,用于驱动激光雷达发射系统中的GaN HEMT开关管。基于0.18μm CMOS工艺进行驱动器的电路与版图设计,采用新型施密特触发器结构,并集成欠压锁存和过温保护功能。该驱动器选用晶圆级芯片封装(WLCSP)技术,最大程度上降低栅极路径上的寄生电感。对芯片进行测试,结果表明:驱动器最小输出脉冲宽度为1.06 ns,其上升时间为480 ps,下降时间为380 ps,输入信号到输出信号的延迟时间为3 ns,脉冲频率最高可达60 MHz。该驱动器具有脉宽窄、延时短、频率高、体积小等特点,可应用于车载激光雷达系统。

FAN3XXX系列高速低端MOSFET驱动器概述

FAN3XXX系列是飞兆公司（FAIRCHILD）2007年10月推出的新产品,是一种高速低端MOSFET驱动器系列。该系列各种驱动器与PWM控制器及功率MOSFET组合可设计出各种高频、大功率开关电源。根据驱动器的通道数、输出电流大小,有不同的封装及型号，可满足各种开关电源的大小结构及不同输出功率的需要，如表1所示。

MC34151/MC33151/MC34152/MC33152高速双MOSFET驱动器集成电路

本文介绍了ＭＣ３４１５１／ ＭＣ３３１５１／ ＭＣ３４１５２／ ＭＣ３３１５２系列双路单片高速ＭＯＳＦＥＴ驱动器，文中不但讨论了该系列ＭＯＳＦＥＴ驱动器的引脚排列、各引脚的名称、功能、用法、主要设计特点和参数限制，而且剖析了它们的内部结构和工作原理，进而探讨了它们的应用技术。