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题名脉冲压缩开关DBD研究
被引量:1
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作者
谭科民
杨勇
崔占东
马红梅
刘忠山
陈洪斌
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国工程物理研究院应用电子学研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期595-597,608,共4页
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基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目
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文摘
延迟击穿器件(DBD)是一种新型的半导体导通式开关,它具有重复工作频率高、体积小、重量轻、稳定性好等优点。利用此种开关对基于半导体断路开关(sem iconductoropening switches,SOS)开关输出的高重复频率的脉冲波形进行压缩,可制作出高重复频率的超宽带脉冲源。介绍了DBD开关的基本工作原理和研制结果,给出了在相同测试条件下,与国外同类开关的测试结果对比波形,结果表明,研制的DBD开关和国外开关的指标基本相同,其中某些指标优于国外开关水平。
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关键词
延迟击穿器件
半导体断路开关
高重复频率超宽带源
延迟击穿
脉冲压缩
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Keywords
delaged breakdown devices(DBD)
semiconductor opening switches(SOS)
high repeat frequency and super wide band source
delayed breakdown
pulse compression
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分类号
TN313.6
[电子电信—物理电子学]
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