6T-SRAM共享接触孔失效定位的分析方法

6T静态随机存储器(SRAM)在新的集成电路技术节点被广泛用于制造工艺的研发。随着集成电路制造工艺技术节点微缩进入100 nm线宽以下,SRAM存储单元的主流设计使用了新的布局以降低光刻制造技术的难度,新的布局引入了共享接触孔(shared CT)的新结构,同时也带来了新的失效机制。系统地分析了共享接触孔带来的失效问题,并采用电性分析和传统失效分析相结合的新方法,准确定位了在共享接触孔与SRAM中另一反相器栅极之间存在的新的高阻失效,而这类高阻失效无法通过传统失效分析方法精确定位。对失效物理地址进行的切片检验证实了这种高阻失效,因此也证明了新的分析方法是有效的。