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金属膜电阻器用高阻溅射靶材研究
被引量:
2
1
作者
毛大立
王家敏
+4 位作者
张澜庭
毛立忠
徐颖
吴建生
王绪亭
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1998年第2期11-12,48,共3页
利用真空熔炼的方法,研制出用于金属膜电阻器生产用的高阻溅射靶材。用该靶材可溅射制备得到薄膜电阻值达1~10kΩ,电阻温度系数α在±100×10-6℃-1以内,脉冲稳定性在0.5%以下的电阻体。其阻值和其他电性...
利用真空熔炼的方法,研制出用于金属膜电阻器生产用的高阻溅射靶材。用该靶材可溅射制备得到薄膜电阻值达1~10kΩ,电阻温度系数α在±100×10-6℃-1以内,脉冲稳定性在0.5%以下的电阻体。其阻值和其他电性能稳定可靠,分档集中,产品性能达到GB5873-86标准,适用于金属膜电阻器生产。
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关键词
电族器
金属膜电
阻
器
真空熔炼
高阻溅射靶材
下载PDF
职称材料
题名
金属膜电阻器用高阻溅射靶材研究
被引量:
2
1
作者
毛大立
王家敏
张澜庭
毛立忠
徐颖
吴建生
王绪亭
机构
上海交通大学材料科学系
上海无线电一厂
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1998年第2期11-12,48,共3页
基金
国家自然学基金
文摘
利用真空熔炼的方法,研制出用于金属膜电阻器生产用的高阻溅射靶材。用该靶材可溅射制备得到薄膜电阻值达1~10kΩ,电阻温度系数α在±100×10-6℃-1以内,脉冲稳定性在0.5%以下的电阻体。其阻值和其他电性能稳定可靠,分档集中,产品性能达到GB5873-86标准,适用于金属膜电阻器生产。
关键词
电族器
金属膜电
阻
器
真空熔炼
高阻溅射靶材
Keywords
metal film resistors, vacuum smelting, high resistance target material
分类号
TM544.4 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属膜电阻器用高阻溅射靶材研究
毛大立
王家敏
张澜庭
毛立忠
徐颖
吴建生
王绪亭
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1998
2
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职称材料
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参考文献
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