用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉

提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性.和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点.为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件.