用于筒镜分析器的陶瓷环高阻膜的研制

陶瓷环高阻膜作为筒镜分析器避免边缘电场效应的重要部件,其质量对电子能量分析器的性能有很大的影响。本文介绍了在陶瓷环上采用适当地分层蒸镀Cr膜和老化处理,制成时间稳定和温度稳定的高阻膜,经测试性能良好,并已实用于俄歇电子谱仪中。

高阻碳膜电阻膜层TCR的改进

基于碳膜固有的负电阻温度特性，在从工艺角度解决高阻碳膜电阻膜层ＴＣＲ偏高问题的同时，通过对物质的电导率形成机理的分析，提出了以硼置换碳的改性方案，为彻底实现高阻材料国产化提供了理论和实践的依据。

透明SnO_2薄膜的制备及结构、性质研究

采用超声喷雾热解成膜技术制备透明SnO2薄膜,用XRD、UV/Vis、SEM、电导温度曲线等系统研究了衬底温度、反应液中双氧水浓度与SnO2薄膜的结构、形貌和光学、电学性质的关系。结果表明,衬底温度与薄膜的微结构和电阻率有密切的关系;加入适量双氧水能使制备的薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善并得到透明高阻SnO2薄膜。

磁控反应溅射制备的SnO_2多晶薄膜及其特性

采用反应磁控溅射制备了高阻SnO2薄膜。利用X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、暗电导温度关系等方法研究了退火对薄膜的结构?光学和电学性质的影响。发现在510℃退火1h后,SnO2薄膜从非晶态转变为四方相结构的多晶薄膜,光能隙在3.79 eV和3.92 eV之间,电阻率为8.5Ω.cm,电导激活能约为0.322 eV。研究结果表明,此方法制备的SnO2高阻膜适合作为过渡层应用于CdTe太阳电池中。

图谱分析退火对本征SnO_2多晶薄膜性能的影响

提高CdTe太阳电池转换效率的有效途径之一是适当减薄CdS窗口层,减薄了的CdS层会严重影响电池性能,解决方法是在窗口层和透明导电膜之间加一层高阻本征SnO2薄膜。采用反应磁控溅射制备了具有高阻抗的本征SnO2薄膜,并对其进行了后处理,利用XRD,XPS等方法研究了退火前后薄膜的结构,成分及表面化学状态的变化。结果表明:经N2/O2=4:1气氛550℃(0.5h)退火后,样品由非晶态转变为四方相结构的多晶薄膜,具有(110)择优取向;XPS分析表明退火后薄膜的氧含量增加、O(1s)峰向低能方向移动,SnO被氧化成SnO2,使得薄膜的透过率增大,退火后的本征SnO2高阻膜非常适合作为过渡层应用于CdTe太阳电池中。