高阻薄层硅外延材料研制

根据绝大多数分立器件的技术要求,常规硅外延层电阻率的数值会小于厚度的数值。介绍了一种外延层电阻率数值接近甚至大于厚度数值的高阻薄层硅外延材料的实用生产技术,即在PE-2061S桶式外延设备上,采取特殊的工艺方法,在掺砷(As)衬底上进行高阻薄层外延生长。该工艺通过控制自掺杂,改善了纵向载流子浓度分布,取得了较好的外延参数均匀性。

高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的研究

高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的难点在于重掺砷(As)衬底外延的自掺杂和固态外扩散严重,外延电阻率和过渡区不易控制。在多片式外延炉生产时又会因重掺砷衬底之间相互影响,导致相同工艺条件下外延电阻率因片数不同而存在较大差异。本文对不同外延厚度和电阻率产品的片间掺杂效应进行量化分析,确定了不同规格产品的影响幅度,其中高阻薄层产品受影响最大。此外依据自掺杂的产生机理及固体扩散理论,通过二步外延法工艺,有效降低了片间掺杂效应的影响,消除了多片炉生产时因片数不同而产生的参数差异。

时移长偏移距瞬变电磁法剩余油监测方法及应用

利用长偏移距瞬变电磁法(Lowtem)水平电场分量对高阻薄层电阻率变化灵敏这一地球物理特征,开展时移长偏移距瞬变电磁法剩余油监测试验。对时移长偏移瞬变电磁法资料采用归一化残差的方法进行处理,得到的结果突出了高阻薄层电阻率的变化。试验结果表明:采用时移Lowtem方法在试验区获取的电阻率残差图、剩余油预测平面分布图与已知的勘探和开发信息相吻合,初步表明时移长偏移距瞬变电磁法对剩余油边界的探测和预测具有良好的应用前景。

200mmBCD器件用硅外延片制备技术研究

本文涉及200 mm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)器件用硅外延片制备技术,通过结合BCD工艺用外延材料的特性要求,从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标,分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数的影响,优化了BCD工艺用硅外延片的制备方法。本文采用常压化学气相沉积(CVD)技术制备了BCD工艺用200 mm硅(Si)外延材料,通过Hg-CV、SP1及SRP对埋层外延片进行测试分析,实验结果验证了工艺设计的正确性和有效性,提升了大尺寸埋层外延制备技术的产业化水平。